以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展在新能源汽車等領(lǐng)域風(fēng)頭正勁之時,一種更耐高溫耐高壓、支持更大功率、能耗更低的新一代化合物半導(dǎo)體材料——氧化鎵走進業(yè)界視線。短短4-5年時間,氧化鎵已經(jīng)出現(xiàn)了高質(zhì)量的襯底和外延片,發(fā)展速度飛快。
如今,手機、電腦等電子產(chǎn)品變得越來越智能、越來越小巧,新能源汽車續(xù)航越來越持久,這背后都要歸功于半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的快速發(fā)展。為滿足日益增長的多元需求,半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展到以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體材料。從第一代半導(dǎo)體材料到第四代半導(dǎo)體材料,禁帶寬度逐漸變大,可以更好地適應(yīng)極端環(huán)境。 由于半導(dǎo)體市場對功率密度更高、損耗更低、成本更低、性能更好的功率器件愈加青睞,氧化鎵脫穎而出。那么,與碳化硅相比,氧化鎵有何優(yōu)勢?資本為何頻頻關(guān)注?氧化鎵何時能實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化? 01技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化駛?cè)肟燔嚨?/strong> 人們對高壓、高頻、大功率、紫外發(fā)光和探測的需求,直接推動了寬禁帶半導(dǎo)體和超寬禁帶的出現(xiàn)和發(fā)展。就功率應(yīng)用來說,在其他參數(shù)相同的情況下,禁帶更寬的半導(dǎo)體特性會更優(yōu)。 作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,氧化鎵禁帶寬度達到4.9eV,超過第三代半導(dǎo)體材料(寬禁帶半導(dǎo)體材料)的碳化硅(3.2eV)和氮化鎵(3.39eV)。更寬的禁帶寬度意味著電子需要更多的能量從價帶躍遷到導(dǎo)帶,因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等特性。 近年,國際氧化鎵技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化進程駛?cè)肟燔嚨溃绕涫侨毡?。?jù)了解,日本企業(yè)正在加緊推進配備在純電動汽車(EV)上的功率半導(dǎo)體使用的新一代晶圓的實用化,這是一種由氧化鎵制成的晶圓,日本新興企業(yè)Novel Crystal Technology計劃,從2025年起每年生產(chǎn)2萬枚100毫米(4英寸)晶圓,到2028年量產(chǎn)生產(chǎn)效率更高的200毫米(8英寸)晶圓。該公司社長倉又朗人表示,氧化鎵無論是性能還是成本都能勝過碳化硅,最終目標(biāo)是全面轉(zhuǎn)向氧化鎵。 此外,日本氧化鎵領(lǐng)域知名企業(yè)FLOSFIA將大規(guī)模生產(chǎn)使用氧化鎵材料的功率半導(dǎo)體替代硅基半導(dǎo)體,作為行業(yè)國際領(lǐng)軍企業(yè),該公司充滿信心地預(yù)計,2025年氧化鎵功率器件市場規(guī)模將開始超過氮化鎵,2030年達到15.42億美元(約合人民幣100億元),達到碳化硅的40%,達到氮化鎵的1.56倍。據(jù)日本NCT公司預(yù)測,氧化鎵晶圓的市場到2030年度將擴大到約590億日元規(guī)模。 近期,我國在氧化鎵研發(fā)方面也取得了一系列進展。3月,西安郵電大學(xué)電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊,成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。此前2月,中國電科46所宣布成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶。2月,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺,首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。目前國內(nèi)氧化鎵行業(yè)以中國電科46所、山東大學(xué)、進化半導(dǎo)體、中科院上海光機所、北京鎵族科技、杭州富加鎵業(yè)等單位為主力。 02無銥制備氧化鎵,PK碳化硅的時點即將到來 對于同一種材料,不能“既要便宜,也要性能好”,只能通過開發(fā)新一代材料來突破新的性能和成本瓶頸。氧化鎵的出現(xiàn)讓進化半導(dǎo)體CEO許照原頗為驚喜。一次偶然的機會,讓他開始關(guān)注氧化鎵的性能并開始組建團隊進行研發(fā)。 功率半導(dǎo)體應(yīng)用,主要是圍繞耐壓、電流、功率、損耗、散熱幾個方面進行評估?!皬牟牧咸匦詠砜矗趸墦碛?0倍于碳化硅的功率特性優(yōu)勢,但是成本有潛力做到碳化硅的1/10。”許照原說,與碳化硅一樣,氧化鎵適用于高功率、大電壓領(lǐng)域。相比碳化硅,氧化鎵在性能和成本上更具優(yōu)勢。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,從同樣基于6英寸襯底的最終器件的成本構(gòu)成來看,基于氧化鎵材料的器件成本為195美元,約為碳化硅材料器件成本的1/5,與硅基產(chǎn)品的成本所差無幾。此外,氧化鎵的晶圓產(chǎn)線與硅、碳化硅、氮化鎵的差別不大,轉(zhuǎn)換成本不高。以目前業(yè)界的評估來說,氧化鎵的芯片產(chǎn)線改造難度不大,比如將LED的工廠稍加轉(zhuǎn)換就可以開始投入生產(chǎn)。 這么好的材料,為什么走出實驗室的速度較慢?談及原因,許照原解釋,因為氧化鎵是在高溫含氧環(huán)境下生長,需要用到耐高溫、耐氧化的材料,制備晶體普遍采用銥金作為坩堝材料,產(chǎn)業(yè)界對采用這種貴金屬才能制備的材料短期內(nèi)挑戰(zhàn)碳化硅的地位抱有懷疑態(tài)度。 值得注意的是,目前,進化半導(dǎo)體、日本東北大學(xué),都開發(fā)了不使用銥金的“無銥工藝”制備氧化鎵,浙江大學(xué)在研發(fā)相比導(dǎo)模法用銥量大幅減少的“少銥工藝”,都在努力嘗試降低氧化鎵成本的創(chuàng)新方法。多點發(fā)力給了產(chǎn)業(yè)界信心,認為氧化鎵與碳化硅競爭的時點即將到來。 近日,進化半導(dǎo)體完成近億元A輪融資,融資資金將主要用于持續(xù)研發(fā)投入和團隊擴充。作為國內(nèi)目前唯一采用無銥法工藝制備氧化鎵的公司,許照原表示,進化半導(dǎo)體未來三年將實現(xiàn)氧化鎵襯底的大幅度降價,新工藝有望實現(xiàn)8英寸襯底成本低至500元,僅為同尺寸SiC襯底的1/10。 談及如何制備氧化鎵,目前市面上主要有導(dǎo)模法(EFG法)和無銥法等方法。導(dǎo)模法是當(dāng)前唯一能制造大尺寸氧化鎵襯底的工藝,但是無法實現(xiàn)低成本大批量的產(chǎn)業(yè)化供應(yīng)。事實上,盡管導(dǎo)模法為產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出了巨大貢獻,但是這種工藝方法的產(chǎn)業(yè)化遇到了較大的障礙,主要是因為導(dǎo)模法需要用到貴金屬銥(Ir)。在業(yè)界看來,導(dǎo)模法的工藝極限,是可以把氧化鎵襯底成本做到同尺寸碳化硅的50%-60%,按現(xiàn)在的發(fā)展速度,達到產(chǎn)業(yè)鏈成熟、氧化鎵量產(chǎn)應(yīng)用的時間點大概是10年以后。無銥法則可以大大提速氧化鎵的產(chǎn)業(yè)化進程。 許照原表示,在設(shè)備投入僅5%的情況下,同樣時間可以生長一爐次,無銥法制備氧化鎵的產(chǎn)量是EFG法的100倍,大幅度降低長晶環(huán)節(jié)的成本,顯著提升了產(chǎn)能,有機會快速形成市場影響。當(dāng)然技術(shù)逐步成熟還需要努力和沉淀,但可以預(yù)見,無銥法有利于提高各環(huán)節(jié)企業(yè)熱情,促進產(chǎn)業(yè)鏈更加完備。 03“摸著碳化硅過河” 目前致力于氧化鎵研發(fā)的高校和科研院所越來越多,但做襯底的研究團隊相對要少,創(chuàng)業(yè)企業(yè)更少。由于材料研發(fā)投入大、周期長、門檻高,幾乎沒有技術(shù)積累的企業(yè),很難做出成果。 剛剛實現(xiàn)氧化鎵材料制備的進化半導(dǎo)體,正在開啟新的階段。許照原打了個比方:“如果我們把做器件、做應(yīng)用比作炒飯,那前提是你得有米,之前這個米想把它種出來都非常困難,也就沒辦法大規(guī)模應(yīng)用。目前一個比較大的突破是,我們找到了低成本制造氧化鎵材料的可能?!痹谕七M產(chǎn)業(yè)化的過程中,進化半導(dǎo)體計劃,一方面要滿足客戶需求,實現(xiàn)送樣和小批量供應(yīng);另一方面,繼續(xù)做更大尺寸材料的研發(fā),為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)應(yīng)用做好準(zhǔn)備,實現(xiàn)商務(wù)和研發(fā)兩條腿走路。 氧化鎵產(chǎn)業(yè)化需要具備至少3個要素:材料成本低;襯底、外延、器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展完善;實現(xiàn)示范性應(yīng)用。目前,氧化鎵國內(nèi)產(chǎn)業(yè)化程度仍處于初級階段。一旦氧化鎵量產(chǎn),其超高的性價比會迅速搶占現(xiàn)有新能源汽車的主逆變器、車載充電機等車用半導(dǎo)體市場以及巨大的白電市場。 中國科學(xué)院院士郝躍曾表示,氧化鎵材料是最有可能在未來大放異彩的材料之一,在未來10年左右,氧化鎵器件有可能成為有競爭力的電力電子器件,會直接與碳化硅器件競爭。 “碳化硅摸著石頭過河,氧化鎵摸著碳化硅過河。碳化硅發(fā)展了40年,氧化鎵用了不到10年的工夫就已經(jīng)發(fā)展到了接近于碳化硅發(fā)展35年左右的進度。”對于氧化鎵的未來,許照原信心滿滿,他認為一旦第四代半導(dǎo)體襯底可以產(chǎn)業(yè)化大規(guī)模供應(yīng),將引領(lǐng)下游的芯片、模組、系統(tǒng)集成等整個產(chǎn)業(yè)鏈開始聯(lián)動,生產(chǎn)出性能更好、品種更多樣、價格更有優(yōu)勢的產(chǎn)品,為各個領(lǐng)域的應(yīng)用都帶來質(zhì)的飛躍。不僅有突破國外封鎖的重大社會效益,更可為我國帶來千億級的經(jīng)濟效益。
轉(zhuǎn)載微信公眾號:半導(dǎo)體工藝與設(shè)備
聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播學(xué)習(xí),若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:market@cgbtek.com
聯(lián)系方式:
服務(wù)熱線/Service: 400-650-7658 + 8613910297918
郵箱/Email :sales@cgbtek.com
公司網(wǎng)站/Website: http://shenjingke.com.cn
生產(chǎn)基地/Address: 河北省廊坊市香河機器人產(chǎn)業(yè)園3期A棟
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號