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一文看懂碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程

發(fā)布時(shí)間:2024-01-23發(fā)布人:

碳化硅功率半導(dǎo)體生產(chǎn)流程主要包括前道的晶圓加工,包括長(zhǎng)晶、切割、研磨拋光、沉積外延;第二部分芯片加工,這部分跟硅基IGBT類似。


第一部分,晶圓加工


首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長(zhǎng)SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 

第二,使用多線切割設(shè)備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米

第三,通過不同粒度的金剛石研磨液,將晶圓研磨至所需要的平整度和粗糙度。


第四,對(duì)SiC晶圓進(jìn)行機(jī)械拋光,和化學(xué)機(jī)械拋光,得到鏡面SiC拋光晶圓


第五,利用光學(xué)顯微鏡和儀器,檢測(cè)SiC晶圓的微管密度,表面粗糙度、電阻率、翹曲TTV,表面劃痕等參數(shù)


第六,拋光后的SiC晶圓用清洗劑,和純水清洗,去除拋光液等表面污染物


第七,用超高純氮?dú)夂透稍餀C(jī),對(duì)晶圓進(jìn)行吹氣和干燥


第八,利用化學(xué)氣象沉積等方法,在襯底上生成SiC外延片,最后制作相關(guān)器件


第二部分    芯片加工環(huán)節(jié)


第一,注入掩膜。首先清洗晶圓,淀積一層氧化硅薄膜,接著通過勻膠、曝光、顯影等工藝步驟形成光刻膠圖形,最后通過刻蝕工藝將圖形轉(zhuǎn)移到刻蝕掩膜上。

第二,離子注入。將做好掩膜的晶圓放入離子注入機(jī),注入高能離子。之后移除掩膜,進(jìn)行退火以激活注入離子。


第三,制作柵極。在晶圓上依次淀積柵氧層、柵電極層形成門級(jí)控制結(jié)構(gòu)。


第四,制作鈍化層。淀積一層絕緣特性良好的電介質(zhì)層,防止電極間擊穿。


第五,制作漏源電極。在鈍化層上開孔,并濺射金屬形成漏源電極。

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