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但市占率比較小。當(dāng)前，全球半導(dǎo)體設(shè)備競爭格局高度集中，美日歐設(shè)備供應(yīng)商主導(dǎo)，2021年前五名廠商市占率達(dá)73.4%。分別是應(yīng)用材料、ASML、東京電子、泛林、科磊這五大家。中國半導(dǎo)體設(shè)備廠商這兩年發(fā)展勢頭強(qiáng)勁。但總體在全球市場的占比還是小于2%。這也顯示國產(chǎn)替代空間較大。

目前，國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商基本能覆蓋薄膜、光刻、量測、研磨拋光、刻蝕、背面加工藝區(qū)域的生產(chǎn)制造要求。具體在光刻機(jī)、涂膠顯影、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、濕法刻蝕、CMP、量測設(shè)備都有國產(chǎn)設(shè)備廠商覆蓋。工藝節(jié)點(diǎn)上，除了光刻機(jī)，大部分國產(chǎn)設(shè)備都能覆蓋28納米，其中刻蝕設(shè)備已經(jīng)突破5納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)。

具體到8吋和12吋線的情況，8吋線核心國產(chǎn)設(shè)備中，化學(xué)機(jī)械拋光、刻蝕區(qū)，熱處理設(shè)備量產(chǎn)比例較高，但在量測區(qū)、背面區(qū)領(lǐng)域暫未開發(fā)設(shè)備較多。在12吋產(chǎn)線上，國產(chǎn)設(shè)備里化學(xué)機(jī)械拋光、濕法刻蝕、CVD設(shè)備量產(chǎn)比例較高，量測區(qū)、光刻、熱處理暫未開發(fā)的設(shè)備較多。

總的說來，刻蝕區(qū)、清洗區(qū)、薄膜區(qū)的國產(chǎn)覆蓋率相對突出，但細(xì)分種類存在不全的情況。但在擴(kuò)散區(qū)高溫爐管、高能離子注入、薄膜區(qū)的高密度等離子設(shè)備、大部分量測設(shè)備存在空白。

從國內(nèi)設(shè)備招標(biāo)的公開數(shù)據(jù)看，國內(nèi)工藝設(shè)備國產(chǎn)化率大概在15-25%區(qū)間，其中去膠、擴(kuò)散、刻蝕、CMP設(shè)備的國產(chǎn)化率相對較高，離子注入、過程控制、光刻相對較低。從市場來看，中國大陸已是全球最大的半導(dǎo)體市場，未來將一直保持全球第三的市場地位。目前，集成電路設(shè)備的國產(chǎn)化率比較低，市場替代空間非常巨大。

從上述三個(gè)維度來觀察，近年來，在國產(chǎn)設(shè)備取得進(jìn)展的同時(shí)，也存在一些問題，國產(chǎn)設(shè)備軟件兼容性、工藝冗余度、工作效率等方面存在不足，而且部分核心設(shè)備備件（射頻電源、氣體流量計(jì)）基本依靠國外廠商，存在卡脖子風(fēng)險(xiǎn)。

作為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新企業(yè)，積塔半導(dǎo)體表示，希望加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新，本土晶圓線要敢于給國產(chǎn)設(shè)備和零部件驗(yàn)證機(jī)會，切實(shí)發(fā)揮大生產(chǎn)線組織協(xié)調(diào)的作用。當(dāng)然，設(shè)備原廠要發(fā)揮連接兩端的串聯(lián)作用，積極主動推進(jìn)對國產(chǎn)零部件廠商的認(rèn)證并推薦給客戶。