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碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡(jiǎn)稱(chēng)SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢(shì)，是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎(chǔ)性材料。

SiC的晶體結(jié)構(gòu)

SiC單晶是由Si和C兩種元素按照1:1化學(xué)計(jì)量比組成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，硬度僅次于金剛石。








C原子和Si原子都有4個(gè)價(jià)電子，可以形成4個(gè)共價(jià)鍵，組成SiC基本結(jié)構(gòu)單元——Si-C四面體，Si原子和C原子的配位數(shù)都是4，即每個(gè)C原子周?chē)加?個(gè)Si原子，每個(gè)Si原子周?chē)加?個(gè)C原子。


SiC襯底作為一種晶體材料，也具有原子層周期性堆垛的特性。Si-C雙原子層沿著[0001]方向進(jìn)行堆垛，由于層與層之間的鍵能差異小，原子層之間容易產(chǎn)生不同的連接方式，這就導(dǎo)致SiC具有較多種類(lèi)的晶型。常見(jiàn)晶型有2H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC、15R-SiC等。原子層間的排列方式不同，使得組成原子的占位不同，2H晶型中原子全為六方位。而3C晶型中的原子全為立方位。不同占位比會(huì)影響晶體的禁帶寬度以及載流子性能。隨著六方位占比增加，禁帶寬度逐漸增大，從3C晶型禁帶寬度的2.4eV到2H晶型的3.2eV。


其中，按照“ABCB”順序進(jìn)行堆垛的結(jié)構(gòu)稱(chēng)為4H晶型。雖然不同晶型的SiC晶體具有相同的化學(xué)成分，但是它們的物理性質(zhì)，特別是禁帶寬度、載流子遷移率等特性有較大的差別。從理論上來(lái)看，2H晶型全為六方堆積方式——禁帶寬度最大，應(yīng)該最適合作為大功率器件的制作材料。但是由下面相圖，可以看出其制備條件在實(shí)際操作過(guò)程中難以實(shí)現(xiàn)制造。因此在現(xiàn)實(shí)情境下，選擇了4H晶型。其在制造和各方面的性能更適合半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用。


上圖也可以看出4H晶型在相圖中的面積并不大，因此制造的難度系數(shù)也是非常高的。生長(zhǎng)溫度、壓力等多種因素都會(huì)影響SiC襯底的晶型穩(wěn)定性，因此想要獲得高質(zhì)量、晶型均一的單晶材料，在制備過(guò)程中必須精確控制如生長(zhǎng)溫度、生長(zhǎng)壓力、生長(zhǎng)速度等多種工藝參數(shù)。

SiC制備方法：物理氣相升華法（PVT法）

目前SiC晶體的生長(zhǎng)方法主要有物理氣相傳輸法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高溫化學(xué)氣相沉積法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中，PVT法是已發(fā)展較為成熟，更適用于產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)的方法。



所謂PVT法，是指將SiC籽晶放置在坩堝頂部，將SiC粉料作為原料放置在坩堝底部，在高溫低壓的密閉環(huán)境下，SiC粉料升華，并在溫度梯度和濃度差的作用下向上傳輸至籽晶附近，達(dá)到過(guò)飽和狀態(tài)后再結(jié)晶的一種方法。該方法可以實(shí)現(xiàn)SiC晶體尺寸和特定晶型的可控生長(zhǎng)。


然而，使用PVT法生長(zhǎng)SiC晶體需要在長(zhǎng)時(shí)間的生長(zhǎng)過(guò)程中，始終維持適宜的生長(zhǎng)條件，否則會(huì)導(dǎo)致晶格紊亂，從而影響晶體的質(zhì)量。但SiC晶體的生長(zhǎng)是在密閉空間內(nèi)完成的，有效的監(jiān)控手段少，變量多，因此工藝控制的難度較高。

單一晶型穩(wěn)定生長(zhǎng)的主要機(jī)制：臺(tái)階流動(dòng)生長(zhǎng)模式

在PVT法生長(zhǎng)SiC晶體的過(guò)程中，臺(tái)階流動(dòng)生長(zhǎng)模式（Step Flow Growth）被認(rèn)為是單一晶型穩(wěn)定生長(zhǎng)的主要機(jī)制。






氣化后的Si原子和C原子會(huì)優(yōu)先在kink點(diǎn)位置與晶體表面原子成鍵，在此處成核生長(zhǎng)，從而使得各個(gè)臺(tái)階平行向前流動(dòng)。當(dāng)晶體表面產(chǎn)生臺(tái)階寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)吸附原子的擴(kuò)散自由程時(shí)，大量吸附原子就可能發(fā)生團(tuán)聚，形成的二維島狀生長(zhǎng)模式會(huì)破壞臺(tái)階流動(dòng)生長(zhǎng)模式，導(dǎo)致4H晶型結(jié)構(gòu)信息丟失，從而產(chǎn)生多型缺陷。因此，工藝參數(shù)的調(diào)節(jié)要實(shí)現(xiàn)對(duì)表面臺(tái)階結(jié)構(gòu)的調(diào)控，以此抑制多型缺陷的產(chǎn)生，達(dá)到獲得單一晶型的目的，最終制備出高品質(zhì)的晶體。






當(dāng)然，制備高品質(zhì)的SiC襯底，晶體生長(zhǎng)只是第一步，產(chǎn)品最終達(dá)到使用要求前，還需要經(jīng)過(guò)切割、研磨、倒角、拋光、清洗、檢測(cè)等一系列工序。SiC單晶作為一種硬脆材料，對(duì)于加工環(huán)節(jié)的技術(shù)要求也很高，各生產(chǎn)環(huán)節(jié)中產(chǎn)生的損傷都有可能具備一定的遺傳性，傳遞到下一道工序，最終影響產(chǎn)品質(zhì)量，因此高效加工SiC襯底的技術(shù)也備受產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)界關(guān)注。

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