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    年產22萬片SiC！這個35億碳化硅芯片項目簽約浙江
    來源：化合物半導體市場

    7月18日，在“2021上海·金華周”開幕式上，16個項目集中簽約，包括總投資35億元的世紀金光第三代半導體碳化硅芯片項目。

    年產22萬片SiC，產值達40億！

    據(jù)悉，世紀金光第三代半導體碳化硅芯片項目總投資35億元，建設年產22萬片6~8英寸碳化硅芯片生產線，項目分三期完成建設，三期項目全部達產后可實現(xiàn)年產值約40億元。項目建成后將助推上下游關聯(lián)產業(yè)的發(fā)展，預計可帶動上下游產業(yè)近千億產值。

    世紀金光在SiC領域的發(fā)展歷程

    2015年，第一款SiC SBD研制成功，開始SiC全產業(yè)鏈工業(yè)生產線建設

    2016年，第一款SiC MOSFET器件研發(fā)成功

    2017年，獲得國家集成電路產業(yè)投資基金投資，“企業(yè)研發(fā)中心”獲批“第三代半導體功率器件設計與驗證北京市工程實驗室”

    SiC從粉料到功率器件產業(yè)鏈建成并投產

    2018年，國內首條6英寸SiC器件生產線通線

    2019年，獲得“第三代半導體功率器件與驗證中試服務平臺”授牌

    關于世紀金光

    世紀金光是一家貫通碳化硅全產業(yè)鏈的綜合半導體企業(yè)，致力于第三代半導體功能材料和功率器件研發(fā)與生產，是國內第一家擁有SiC全產業(yè)鏈技術的半導體公司。

    目前，“世紀金光”碳化硅6英寸單晶已量產；功率器件和模塊制備已覆蓋額定電壓650-1700V、額定電流5-100A的碳化硅肖特基二極管（SBD），額定電壓650-1200V、額定電流20-100A的金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），50-600A的全橋、半橋混合功率模塊及全碳化硅功率模塊等。

    在終端應用方面，世紀金光碳化硅功率器件已經成熟應用于電源PFC、充電樁充電模組、光伏逆變器、特種電源等領域；基于碳化硅技術的新能源汽車電機驅動系統(tǒng)的技術開發(fā)已經獲得重要進展。

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