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       芯研所消息，隨著第三代半導體的日漸成熟，關于技術專利的分布情況，到底又是什么態(tài)勢呢？

       近日能夠有助延長電動車續(xù)航力的第三代關鍵半導體材料碳化硅（SiC）專利技術排名，正式公布。

       據(jù)悉該項技術依舊由美日廠商所主導，并占據(jù)了專利數(shù)量占據(jù)前五名，最多的是美企Wolfspeed（前身為科銳CREE），之后全由日企拿下，日本芯片制造商Rohm 第二名，之后依序是住友電工、三菱電機和Denso。

       SiC 比芯片產(chǎn)業(yè)主流材料硅更硬，性能更穩(wěn)定， 整體來看，碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。SiC還有助節(jié)能，加上特斯拉率先將SiC 芯片用在量產(chǎn)車，有助推動SiC 材料需求，且在電動車或太陽能產(chǎn)業(yè)等領域更普及。