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投資超1億美元！SK閃存業(yè)務子公司擬在美國西部建立研發(fā)中心據(jù)韓媒BusinessKorea報道，SK海力士旗下的NAND閃存子公司Solidigm將投資超過1億美元，在美國加利福尼亞州建立一個半導體研發(fā)中心。該研發(fā)中心占地約2萬...
廣東越海集成項目助力增城“芯”產(chǎn)業(yè)補鏈強鏈“廣州增城發(fā)布”消息，近日，廣東越海集成高端傳感器8寸/12寸TSV封裝項目研發(fā)基地通線，首批產(chǎn)品下線及生產(chǎn)基地開工活動在增城開發(fā)區(qū)舉行。根據(jù)規(guī)劃，生產(chǎn)基地建筑面積13...
湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心正式揭牌“錫山經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)”消息，近日，湖南大學無錫半導體先進制造創(chuàng)新中心在無錫錫山區(qū)正式揭牌。該創(chuàng)新中心由中國工程院院士丁榮軍領銜，旨在聚焦半導體先進制造核心應...
浙江麗水重大項目集中簽約 總投資超470億元“蓮都發(fā)布”消息，近日，浙江麗水蓮都區(qū)重大項目集中簽約儀式隆重舉行。20個重大項目現(xiàn)場集中簽約，涉及半導體、大健康、新能源等，項目協(xié)議總投資額達477.36億元。杭州...
碳化硅，國產(chǎn)化進程顯著碳化硅作為第三代半導體材料的主要代表之一，其技術發(fā)展也至關重要。雖然國內(nèi)碳化硅的技術水平與國外有所差距，但國內(nèi)企業(yè)在 2-6 英寸的導電型和半絕緣型碳化硅襯底領域均已實現(xiàn)部分國產(chǎn)替...
CASA發(fā)布SiC MOSFET功率循環(huán)試驗/結殼熱阻測試2項團體標準由工業(yè)和信息化部電子第五研究所牽頭制定，遵循CASAS標準制定流程，經(jīng)過標準起草小組會議討論、廣泛征求意見、委員會草案投票等流程，團體標準T/CASAS 01...
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