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重磅新品｜清純半導體推出國內首款15V驅動SiC MOSFET

市場動態(tài)：近日，清純半導體發(fā)布了國內首款15V驅動的1200V SiC MOSFET器件平臺產品，填補了國內15V驅動SiC MOSFET產品空白。

國內頭部碳化硅器件研發(fā)企業(yè)「清純半導體」日前宣布發(fā)布國內首款15V驅動的1200V SiC Mosfet器件平臺產品，填補了國內15V驅動SiC Mosfet產品空白，使得國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。據悉，公司首款1200V 75mΩ SiC  Mosfet已獲得國內領先新能源逆變器制造商的批量訂單，后續(xù)將陸續(xù)推出該平臺下的系列規(guī)格產品。

自中國明確雙碳目標以來，我國新能源行業(yè)進入跨越式發(fā)展階段。新能源汽車行業(yè)正步入爆發(fā)期，這也催生出了巨大的功率器件市場。SiC功率器件得益于高壓、高溫及高頻的獨特優(yōu)勢，正成為新一代電力轉換的核心器件，已在新能源汽車、光伏逆變器、儲能等領域獲得廣泛應用，顯著提高了電力轉換效率。國家“十四五”計劃點名發(fā)展“碳化硅等寬禁帶半導體”，希望國內廠商能夠盡快追趕國際水平，推出自主可控的產品。

SiC Mosfet作為應用最廣泛的碳化硅功率器件，早已在國內相關行業(yè)龍頭企業(yè)比亞迪、陽光電源和華為等的旗艦產品系列中廣泛使用，其需求也在迅速擴大。但SiC Mosfet相關核心技術始終未被突破，在產品性能和可靠性方面與國際主流產品仍有較大差距，國內市場主要被國外廠商占據。

據悉，該器件主要有18V驅動和15V驅動兩個類型，其中15V驅動產品優(yōu)勢更加明顯：

客戶采用15V驅動的產品，一是系統(tǒng)可以更好兼容目前IGBT驅動電路；

二是進一步提升了器件的可靠性，同時降低了驅動損耗；

三是國內驅動芯片廠商大多供應15V的驅動芯片，國產配套容易。

同時，15V驅動的產品開發(fā)難度更大，對產品設計水平和制造工藝的要求更高，經過近年來的努力，國內已有個別廠家能夠少量提供18V驅動的SiC Mosfet產品，但國際主流廠商已開始大力推廣15V驅動的SiC Mosfet,加快對傳統(tǒng)硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）產品的替代，由此進一步拉開了與國內產品的技術代差。

清純半導體此次發(fā)布的15V驅動的1200V SiC Mosfet器件平臺產品首次填補了國內該系列產品空白，帶領國內SiC功率器件技術躋身國際領先水平。相比國際主流產品，本次清純半導體推出的15V驅動1200V SiC Mosfet器件產品，具有更低的導通損耗、更低的熱阻、較低開關損耗，綜合損耗更小，效率更高。

下表是清純半導體Mosfet與國際一流產品（源于各產品的規(guī)格書）的比較：

清純半導體基于自主工藝開發(fā)的國產1200V SiC Mosfet系列產品一經推出即得到市場的熱烈響應，據碳化硅芯觀察了解，公司首款1200V 75mΩ SiC Mosfet產品已經通過車規(guī)級測試并獲得國內領先新能源逆變器制造商的批量訂單。

  清純半導體 

清純半導體成立于2021年3月，為國內領先的碳化硅功率器件設計和供應商，去年底宣布完成高瓴創(chuàng)投領投的數億元首輪融資。公司擁有國際領先的研發(fā)團隊，始終瞄準國際技術前沿，以提供國際一流的碳化硅功率芯片為己任。

公司成立一年來，技術與產品發(fā)展迅速，目前已突破國產SiC功率器件設計及大規(guī)模制造瓶頸，在極短時間內先后開發(fā)出自主知識產權的SiC二極管及 Mosfet器件產品，產品先后通過車規(guī)級可靠性測試，是目前國內唯一能夠在SiC器件核心性能和可靠性方面達到國際一流水平、并且基于國內產線量產SiC  Mosfet的企業(yè)。

目前，清純半導體已完成1200V全系列碳化硅功率器件的產品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等規(guī)格SiC SBD（碳化硅-肖特基二極管）及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大電流車載芯片等規(guī)格SiC Mosfet（18V和15V驅動可選）。

其供應的SiC器件具有國際先進水平的卓越性能，可廣泛應用于新能源汽車、充電樁、工業(yè)電源、光伏逆變、UPS、通信電源等大功率、高頻、高效率領域，可直接實現(xiàn)SiC器件的國產替代，同時具備高可靠性、兼容IGBT驅動電壓等優(yōu)勢，豐富的產品系列能夠滿足諸多目標應用的需求，進一步推動國產高性能功率芯片的發(fā)展和應用。

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