中試能力1000片/年,廣州又一氮化鎵項目要開建了
來源:全球半導體觀察
近日,據(jù)廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺公示了廣州第三代半導體創(chuàng)新中心建設項目進展情況。
據(jù)披露,廣州第三代半導體創(chuàng)新中心建設項目已于10月12日復核通過,并將于2021年11月開建,2022年7月結束。
△Source:廣東省投資項目在線審批監(jiān)管平臺
根據(jù)公示,該項目建設單位為西安電子科技大學廣州研究院,總投資4.54億元,擬建設第三代半導體氮化鎵研發(fā)線一條,中試線一條,中試能力達到折合6寸晶圓1000片/年。同時,創(chuàng)新中心擬將建設第三代半導體的公共技術研發(fā)服務平臺,主要包括器件和集成電路設計平臺、加工平臺及測試分析平臺。
根據(jù)此前資料,廣州第三代半導體創(chuàng)新中心建設項目于2020年底簽約落地廣州黃埔,將聚焦大尺寸氮化鎵材料外延生長、氮化鎵微波毫米波器件與集成電路、氮化鎵電力電子器件與集成電路等技術領域。
項目建成后,將促進第三代半導體上下游相關產業(yè)公司和人才在廣州市開發(fā)區(qū)聚集,協(xié)助推進第三代半導體產業(yè)鏈在廣州市開發(fā)區(qū)落地,實現(xiàn)廣州市第三代半導體產業(yè)跨越式發(fā)展。
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