盛美半導(dǎo)體推出首臺應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體晶圓級封裝的電鍍設(shè)備
來源:全球半導(dǎo)體觀察
8月26日,據(jù)盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司(以下簡稱“盛美半導(dǎo)體”)官微消息,盛美半導(dǎo)體發(fā)布新產(chǎn)品——Ultra ECP GIII電鍍設(shè)備,以支持化合物半導(dǎo)體(SiC,GaN)和砷化鎵(GaAs)晶圓級封裝。
盛美半導(dǎo)體稱,這是首臺應(yīng)用于化合物半導(dǎo)體制造中晶圓級封裝和電鍍應(yīng)用的電鍍設(shè)備。
圖片來源:盛美半導(dǎo)體官微
據(jù)官微介紹,該系列設(shè)備能將金(Au)鍍到背面深孔工藝中,具有更好的均勻性和臺階覆蓋率。Ultra ECP GIII配備全自動平臺,支持6英寸平邊和V型槽晶圓的批量工藝,同時結(jié)合盛美半導(dǎo)體的第二陽極和高速柵板技術(shù),可實現(xiàn)最佳性能。
盛美半導(dǎo)體的Ultra ECP GIII設(shè)備通過兩項技術(shù)來實現(xiàn)性能優(yōu)勢:盛美半導(dǎo)體的第二陽極和高速柵板技術(shù)。第二陽極技術(shù)可通過有效調(diào)整晶圓級電鍍性能,克服電場分布差異造成的問題,以實現(xiàn)卓越的均勻性控制??蓱?yīng)用于優(yōu)化晶圓邊緣區(qū)域圖形和V型槽區(qū)域,實現(xiàn)3%以內(nèi)的電鍍均勻性。
據(jù)披露,盛美半導(dǎo)體的Ultra ECP GIII已取得來自中國化合物半導(dǎo)體制造商的兩個訂單。第一臺訂單設(shè)備采用第二陽極技術(shù)的銅-鎳-錫-鍍銀模塊,且集成真空預(yù)濕腔體和后道清洗腔體,應(yīng)用于晶圓級封裝,已于上月交付。第二臺訂單設(shè)備適用于鍍金系統(tǒng),將于今年下一季度交付客戶端。
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