国产欧美日韩黑人一区二区三区_成人一及黄色毛片_青春娱乐网国产在线观看_色婷婷五月另类综合视频在线_精品少妇爆乳无码AⅤ区_国产成av人片在线观看天堂无码_亚洲系列中文字幕制服丝袜_一区二区无码精品在线观看_国内偷窥经典盗摄AV_波多野结衣的片子

新聞中心

首頁(yè) > 新聞中心> 行業(yè)新聞

碳化硅襯底:寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,到底貴在哪里?

發(fā)布時(shí)間:2023-10-10發(fā)布人:

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。4H-SiC具有3.2(eV)的禁帶寬度,2.00飽和電子漂移速率(107cm/s),3.5擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(MV/cm)以及4.00熱導(dǎo)率(W·cm-1·K-1),具有數(shù)倍于硅基的優(yōu)勢(shì)。基于以上優(yōu)良的材料屬性特性,碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求,已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。

碳化硅襯底可分為半絕緣型與導(dǎo)電型兩種,其中,半絕緣型碳化硅襯底具有高電阻率(電阻率≥105Ω·cm),半絕緣型襯底加之異質(zhì)氮化鎵外延片可以作為射頻器件的材料,主要應(yīng)用與上述所述場(chǎng)景的5G通訊、國(guó)防軍工等領(lǐng)域。導(dǎo)電型碳化硅襯底具有低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm),導(dǎo)電型碳化硅襯底配之碳化硅的同質(zhì)外延可以用來(lái)做功率器件的材料,主要的應(yīng)用場(chǎng)景為電動(dòng)汽車、系能源等領(lǐng)域,兩者均具備應(yīng)用場(chǎng)景廣泛、波及行業(yè)眾多、市場(chǎng)范圍廣闊等特點(diǎn)。
      碳化硅襯底貴在哪里?

在碳化硅的制備過(guò)程中,一次性價(jià)格高昂耗材占比過(guò)重是導(dǎo)致碳化硅襯底生產(chǎn)成本高的原因之一。坩堝(石墨件)指以一定粒徑的石墨粉高壓壓制后高溫長(zhǎng)時(shí)間煅燒制成的器皿,具有耐高溫、導(dǎo)熱性能強(qiáng)、抗腐蝕性能好、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),是碳化硅晶體生長(zhǎng)過(guò)程中的耗材之一,其在碳化硅襯底生產(chǎn)原料中到2021年占比達(dá)到45%以上,而且其占比還呈現(xiàn)一種上升趨勢(shì),這是碳化硅制備成本高昂的很大一個(gè)原因。

制備工藝條件要求高

物理氣相傳輸(PVT)法是一種常見的碳化硅晶體生長(zhǎng)方法——在2,300°C以上高溫、接近真空的低壓下加熱碳化硅粉料,使其升華產(chǎn)生包含Si、Si2C、SiC2等不同氣相組分的反應(yīng)氣體;由于固相升華反應(yīng)形成的Si、C成分的氣相分壓不同,Si/C化學(xué)計(jì)量比隨熱場(chǎng)分布存在差異,需要使氣相組分按照設(shè)計(jì)的熱場(chǎng)和溫梯進(jìn)行分布和傳輸,使組分輸運(yùn)至生長(zhǎng)腔室既定的結(jié)晶位置;為了避免無(wú)序的氣相結(jié)晶形成多晶態(tài)碳化硅,在生長(zhǎng)腔室頂部設(shè)置碳化硅籽晶(種子),輸運(yùn)至籽晶處的氣相組分在氣相組分過(guò)飽和度的驅(qū)動(dòng)下在籽晶表面原子沉積,生長(zhǎng)為碳化硅單晶。

以微觀密度為例解釋良率低

碳化硅核心技術(shù)參數(shù)包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率范圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度。其中,碳化硅結(jié)晶中的微管密度是導(dǎo)致產(chǎn)品良率低以及合規(guī)碳化硅成本高昂的又一大因素。微管是延伸并貫穿整個(gè)晶棒的中空管道。微管的存在對(duì)于器件的應(yīng)用是致命的,襯底中的微管存在的密度將直接決定外延層的結(jié)晶質(zhì)量,器件區(qū)存在微管時(shí)將導(dǎo)致器件過(guò)高的漏電流甚至器件擊穿,造成器件失效。因此,降低微管密度是碳化硅產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的重要技術(shù)方向。

隨著微管缺陷改進(jìn)技術(shù)的不斷進(jìn)步,國(guó)際領(lǐng)先的碳化硅企業(yè)可以將微管密度穩(wěn)定地控制在1cm-2以下。這只是其中一種指標(biāo)的評(píng)判,可想而知,制造出以上諸多核心指標(biāo)納米級(jí)別范圍內(nèi)的優(yōu)質(zhì)襯底可見成本控制之難。

污染處理

雖然碳化硅的制造企業(yè)不屬于重污染企業(yè),但在國(guó)家加強(qiáng)生態(tài)建設(shè)、碳中和、碳達(dá)峰的大環(huán)境下,所以制備材料的污染處理是一個(gè)不可忽視的環(huán)節(jié),同時(shí)也是加大生產(chǎn)成本投入的重要因素之一。在碳化硅襯底材料的生產(chǎn)過(guò)程中,對(duì)于污染物的處理主要有:廢水通過(guò)經(jīng)污水處理站處理達(dá)標(biāo)后排入市水質(zhì)凈化廠進(jìn)一步處理;一般固廢中生活垃圾委托環(huán)衛(wèi)部門處理,其他通過(guò)回收單位進(jìn)行資源再利用;危險(xiǎn)廢物通過(guò)委托有資質(zhì)第三方機(jī)構(gòu)處理;廢氣通過(guò)排污裝置合規(guī)排放;噪音通過(guò)車間隔音措施等方式處理。

污染的處理費(fèi)用雖然是材料制備環(huán)節(jié)中的間接費(fèi)用,但是作為一種新型材料,其污染問(wèn)題的處理也一直是大家關(guān)注的焦點(diǎn)問(wèn)題,污染物的處理無(wú)疑又是高昂的碳化硅成本的助推者之一。

由于以上幾點(diǎn)的都具有很高的技術(shù)壁壘、資金壁壘,突破需要巨大的研發(fā)投入以及長(zhǎng)時(shí)間的人才培養(yǎng),所以對(duì)于碳化硅的具體市場(chǎng)滲透來(lái)說(shuō),降成本、擴(kuò)尺寸,加大市場(chǎng)滲透率還需要很長(zhǎng)的路要走!

轉(zhuǎn)載微信公眾號(hào):半導(dǎo)體材料與工藝

聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請(qǐng)聯(lián)系我們修改或刪除:market@cgbtek.com