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化合物半導體廠布局第三代半導體,機會在哪?

發(fā)布時間:2021-08-16發(fā)布人:

化合物半導體廠布局第三代半導體,機會在哪?

來源:「MoneyDJ」


       隨著5G、衛(wèi)星等高頻應用展開,以及電力電子市場逐步增溫,各國無不加大力道投資第三代半導體,三五族、化合物半導體廠布局第三代半導體也進入白熱化,到底各家廠商布局進度以及未來機會為何?本篇會有深入探討。


       第三代半導體二大應用市場,三五族聚焦RF


       繼硅、砷化鎵之后的第三代半導體材料,其實早已在軍用、大型電力電子建設等領(lǐng)域有其蹤跡,今年隨著5G高頻應用,以及電動車等power應用所需的高功率轉(zhuǎn)換需求提升,成為歐、美、日、中國等大國,以及國際IDM大廠爭相發(fā)展的重點項目。


       第三代半導體材料特別適合高頻、高壓、高溫運作環(huán)境中展現(xiàn)優(yōu)異的功率轉(zhuǎn)換效率(power conversion efficiency),可達到省電、減少耗能的表現(xiàn),兩大應用領(lǐng)域為RF(射頻)以及Power,其中臺廠三五族主要聚焦5G、衛(wèi)星等高頻應用相關(guān)的RF。

三五族的第三代半導體發(fā)展,大多朝GaN on SiC(碳化硅基氮化鎵)以及GaN on Si(硅基氮化鎵)兩條路線發(fā)展,前者應用于基站高頻,后者多應用于中低頻部分,不過雖有高低頻應用差異,但兩者都有各自挑戰(zhàn)需要克服,前者在于碳化硅基板(SiC)主要掌握在

       國際少數(shù)廠商手上,像是Cree,使得成本居高不下;后者在于化合物材料長在硅基材上面,有晶格不匹配問題需要克服。

穩(wěn)懋GaN on SiC已穩(wěn)定出貨


       化合物晶圓代工龍頭穩(wěn)懋,十年前即與客戶投入開發(fā)第三代半導體,目前應客戶需求,GaN on SiC已經(jīng)有穩(wěn)定出貨表現(xiàn),應用在5G基站、衛(wèi)星相關(guān),目前占營收個位數(shù)比重,由于基期還低,絕對金額增長幅度大,后續(xù)隨著5G基站、衛(wèi)星相關(guān)需求持續(xù)增長,占比有機會穩(wěn)定提升。


       宏捷科與中美晶集團密切合作,基板成關(guān)鍵


       晶圓代工第二大廠宏捷科,主要與母集團中美晶旗下硅晶圓大廠環(huán)球晶合作開發(fā)第三代半導體。環(huán)球晶SiC基板會同時發(fā)展RF與Power兩大市場,RF會與宏捷科合作,Power應用會與同集團的車用二極管大廠朋程合作。


       由于環(huán)球晶過往主攻硅半導體、客戶也多為硅半導體客戶,若與具備化合物半導體經(jīng)驗與客戶群的宏捷科合作,環(huán)球晶的SiC基板可以在宏捷科做質(zhì)量認證,直接了解RF廠商的需求,加速開發(fā)進度。另外,環(huán)球晶同時也發(fā)展GaN on Si,目前也與宏捷科共同開發(fā)中,產(chǎn)業(yè)人士認為,GaN on SiC客戶認證需要時間,GaN on Si也有技術(shù)需要時間克服,預計第三代半導體相關(guān)業(yè)務要到明年下半年才會逐步發(fā)酵。


       全新多線并進


       至于磊晶廠全新,目前GaN on SiC磊晶打入臺系軍工應用客戶,并已通過產(chǎn)品認證、小量出貨;至于GaN on SiC應用于5G基站部分,目前于兩間美系IDM客戶認證中,后續(xù)進度值得持續(xù)留意。


       此外,宏捷科原本即是全新客戶之一,若中美晶集團第三代半導體材料發(fā)展順利,全新也有望打入供應鏈。


       供應鏈指出,若環(huán)球晶SiC基板順利通過大廠認證、具備量產(chǎn)實力,將使得基板價格具有競爭力,也將能打破目前國際基板大廠的寡占局面,有助于供應鏈以及第三代半導體市場的進一步增長。


       環(huán)宇-KY待6吋廠規(guī)模提升


       至于環(huán)宇-KY,目前主要服務美國基站客戶,走的是GaN on Si產(chǎn)品,目前量還不大,環(huán)宇-KY要等待合資的6吋廠晶成經(jīng)濟規(guī)模提升、開始賺錢,后續(xù)發(fā)展第三代半導體會更為順利。

IET-KY盼以MBE技術(shù)打開市場


       目前主攻利基型市場的磊晶廠IET-KY,目前取得美國能源部合約,發(fā)展GaN on Si,未來將應用于電力應用組件,同時也與韓國IVWorks合作,共同開發(fā)以MBE技術(shù)為基礎的GaN on Si,后續(xù)也值得留意。

 
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