溝槽SiC MOS將量產！這家企業(yè)投資超9億擴產
前段時間，日立Astemo獲得了本田汽車的SiC電驅系統(tǒng)訂單，最近，日立加快了SiC功率半導體擴產計劃——將投資超過9億元，將產能提高3倍，并將量產溝槽型SiC MOS，營收要提升30倍。
10月4日，日媒Nikkan報道稱，日立功率器件株式會社將投資數百億日元，計劃到2026財年將SiC功率半導體產能提高3倍。100億日元約為4.9億人民幣，照此計算，日立的投資金額至少超過9億元人民幣，而這些投資將用于增加晶圓代工廠的制造產能，并在他們的臨海工廠新增前端工藝設施。
目前，日立功率器件公司在臨海工廠生產以鐵路為主的SiC功率半導體，前段工序在臨海工廠，后段工序在山梨工廠生產。報道還提到，日立計劃將于2025財年下半年開始量產TED-MOS結構SiC MOSFET。他們宣稱這是全球最節(jié)能的溝槽型SiC MOS——其電場強度比傳統(tǒng)的DMOSFET低40％，電阻低25％，還具有1.2 kV的額定工作電壓，同時，由于開關速度更快，能量損耗也降低了50％。據介紹，日立2021年開始提供TED-MOS樣品，預計在2023年開始樣品出貨，并在2025財年前開始量產具有更高性能的下一代產品。對于該結構，日立非常有信心，并提出了一個“大目標”——2030年要將碳化硅半導體的銷售額提高至17.8億人民幣，達到2019年度的30倍。除上述提到的TED-MOS之外，日立還開發(fā)了一款全碳化硅模塊，功耗可降低30%。
2021年12月，日立功率半導體宣布，他們已經開發(fā)出耐壓為1.7 KV 的全碳化硅模塊，適用于鐵路車輛和可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。通常，全SiC模塊是由SiC SBD和SiC MOSFET組成。但據日立功率器件介紹，他們的全SiC模塊產品不包含SiC SBD，只采用了SiC MOSFET，電感低至10nH。同時，通過將輔助柵極電阻與 MOSFET 的柵極串聯(lián)，成功將開關損耗降低了約30%。日立功率器件表示，碳化硅芯片的正下方是熱應力最強的地方。通過在這部分采用燒結銅，增加了接頭的強度，也提高了模塊的耐用性。轉載微信公眾號：GaN世界
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