國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心召開 第一屆理事會第一次會議
9月23日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(以下簡稱國創(chuàng)中心)在京召開第一屆理事會第一次會議,標(biāo)志著國創(chuàng)中心正式邁入實際運行階段。科技部有關(guān)領(lǐng)導(dǎo),北京、山西、湖南、江蘇、深圳等地方政府負(fù)責(zé)同志,中國電子科技集團有限公司(以下簡稱中國電科)主要負(fù)責(zé)同志出席會議。
會議審議了國創(chuàng)中心《理事會章程》《建設(shè)運行方案》《2022年工作重點及目標(biāo)》《第三代半導(dǎo)體躍升工程行動計劃(建議稿)》,審議通過了第一屆理事長、副理事長、理事,專家委員會主任、成員,國創(chuàng)中心主任人選,并聽取了國創(chuàng)中心前期工作匯報。
國創(chuàng)中心由科技部批復(fù)同意建設(shè),旨在瞄準(zhǔn)國家戰(zhàn)略需求,統(tǒng)籌全國優(yōu)勢力量,聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向,推進各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同,輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果,培育發(fā)展新動能,推動我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。
國創(chuàng)中心按照“一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同聯(lián)動創(chuàng)新”和“存量帶動增量”的建設(shè)思路,在科技部的統(tǒng)一指導(dǎo)下,由中國電科與相關(guān)省市協(xié)商設(shè)立,布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等六個區(qū)域中心,有效銜接政府支持和企業(yè)需求,聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè),協(xié)同全國50余家科研機構(gòu),初步形成了“核心+基地+網(wǎng)絡(luò)”的創(chuàng)新格局。目前,已聚集第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個院士團隊,行業(yè)領(lǐng)軍人才50余名,形成500多人規(guī)模的專職團隊,聚焦產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)重點發(fā)力,取得了階段性進展和成效。
會議以“現(xiàn)場+視頻”形式舉行。北京、山西、江蘇、湖南、深圳、南京、蘇州等地有關(guān)部門負(fù)責(zé)人,國創(chuàng)中心相關(guān)建設(shè)單位負(fù)責(zé)人參加會議。
聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:zhangkai@cgbtek.com
COPYRIGHT北京華林嘉業(yè)科技有限公司 版權(quán)所有 京ICP備09080401號