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       為滿足市場對5G智能手機存儲提出的新需求，8月5日，西部數(shù)據(jù)舉辦媒體發(fā)布會，宣布推出其用于5G智能手機的第二代UFS 3.1存儲解決方案——西部數(shù)據(jù)iNANDTM MC EU551嵌入式閃存器件。這款新產(chǎn)品可提供超高分辨率相機、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實、游戲和8K視頻等新興應(yīng)用所需的高性能存儲。

西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551嵌入式閃存器件，圖片來源：西部數(shù)據(jù)

產(chǎn)品性能顯著提升

       據(jù)介紹，這款iNAND MC EU551嵌入式閃存器件是西部數(shù)據(jù)公司在北京時間5月27日的閃存大會上推出的UFS3.1的平臺基礎(chǔ)上的全新產(chǎn)品。iNAND MC EU551嵌入式閃存器件采用更高性能的NAND、更高效的控制器和優(yōu)化的固件設(shè)計。

       相比西部數(shù)據(jù)上一代UFS3.1產(chǎn)品，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件的產(chǎn)品性能顯著提升：隨機讀取性能提升約100%，隨機寫入性能提升約40%，有助于支持混合工作負載體驗，例如同時運行多個應(yīng)用；順序?qū)懭胄阅芴嵘s90%，有助于達到新的5G和Wi-Fi 6的下載速度；順序讀取性能提升約30%4，通過縮短啟動時間以更快啟動應(yīng)用，實現(xiàn)更快的上傳速度。

       西部數(shù)據(jù)表示，該產(chǎn)品旨在滿足JEDEC UFS 3.1規(guī)范要求，并采用基于西部數(shù)據(jù)第七代SmartSLC^TM的領(lǐng)先的Write Booster技術(shù)。產(chǎn)品還支持Host Performance Booster 2.0版本，進一步融合了JEDEC標準的全新進展。

       此外，iNAND MC EU551順應(yīng)手機客戶對封裝的要求，采用VBGA 11.5×13.0mm封裝，擁有雙電壓、熱保護、寫入加速器以及HBP2.0（主機性能加速器）等加持，工作溫度范圍覆蓋-25℃-85℃，同時強化了健康報告功能，幫助客戶及時排除設(shè)備問題及管理存儲器磨損等情況。

       容量方面，iNAND MC EU551嵌入式閃存器件覆蓋了目前智能手機最主流的128G、256GB，同時最高容量達512GB，兼顧了未來容量進一步擴大的發(fā)展趨勢。

       西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品市場部高級產(chǎn)品市場經(jīng)理宋學(xué)紅表示，雖然市面上已出現(xiàn)ITB容量產(chǎn)品，但是1TB容量在手機市場上占比仍非常小，目前最主流的仍是128GB、256GB。至于1TB什么時候成為主流，他認為可能還需要一點時間。

智能手機率先搭載量產(chǎn)

       “智能手機已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分。隨著高速5G網(wǎng)絡(luò)、創(chuàng)新傳感器和人工智能的應(yīng)用普及，我們對手機的平均容量和處理多媒體應(yīng)用的高性能需求都在不斷增長?！蔽鞑繑?shù)據(jù)公司汽車、移動和新興市場事業(yè)部高級副總裁Huibert Verhoeven發(fā)布會上說道。

       如今，手機已成為具備多傳感器的內(nèi)容平臺，面臨著多樣化的工作負載，集成越來越多的多媒體應(yīng)用，多媒體應(yīng)用的分辨率也越來越高，5G通信也將催生更多的手機應(yīng)用，都將持續(xù)要求存儲性能更高、容量更大、時延更小以及可靠性更高。

iNAND MC EU551嵌入式閃存器件作為西部數(shù)據(jù)iNAND系列產(chǎn)品的新成員，可為5G智能手機上數(shù)據(jù)豐富的多媒體應(yīng)用提供所需的性能和容量。

       西部數(shù)據(jù)方面表示，十多年來，iNAND系列產(chǎn)品一直深受全球主要智能手機制造商的信任，公司持續(xù)深耕移動生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)域，與領(lǐng)先的SoC系統(tǒng)設(shè)計人員合作，在智能手機的參考設(shè)計中驗證其UFS 3.1解決方案，從而為制造商提供經(jīng)過測試的解決方案。

       在發(fā)布會上，西部數(shù)據(jù)公司中國區(qū)智能終端產(chǎn)品事業(yè)部高級銷售總監(jiān)文芳透露，該款新產(chǎn)品在研發(fā)時就開始與客戶溝通，在產(chǎn)品性能上與客戶做匹配，目前手機領(lǐng)域頭部客戶都在用，但具體不便透露，至于搭載iNAND MC EU551的手機產(chǎn)品何時面市則以客戶發(fā)布的時間為準。

       目前，西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式閃存器件（EFD）樣品現(xiàn)已開始供貨。

       文芳表示，這款新產(chǎn)品不僅可應(yīng)用于智能手機上，還可用于更多應(yīng)用領(lǐng)域，由于智能手機對存儲要求較高，是比較前沿的應(yīng)用產(chǎn)品，所以率先在智能手機應(yīng)用量產(chǎn)，接下來其他應(yīng)用也將逐步跟上。

與鎧俠聯(lián)合研發(fā)投入高達180億美元

       在媒體提問環(huán)節(jié)，宋學(xué)紅指出，iNAND MC EU551這款新產(chǎn)品的性能提升，基于西部數(shù)據(jù)領(lǐng)先的閃存技術(shù)，具體得益于三個方面。

       首先是NAND方面，即NAND Array和外圍電路兩部分都做了調(diào)校和優(yōu)化，整體提升了產(chǎn)品的I/O性能；第三個則是采用了新一代西部數(shù)據(jù)自研Controller主控芯片，較上一代主控芯片有了較大幅度的提升，包括制程、速度以及內(nèi)部RAM設(shè)計等。

       據(jù)了解，作為一家同時擁有HDD和Flash研發(fā)技術(shù)的公司，全球數(shù)據(jù)有超過40%存儲在西部數(shù)據(jù)的產(chǎn)品上。在技術(shù)層面，西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠（Kioxia）公司在過去10年間聯(lián)合研發(fā)的投入高達180億美元。

       今年2月，西部數(shù)據(jù)與鎧俠共同推出了第六代162層BiCS 3D NAND。相比上一代，六代162層BiCS 3D NAND每片晶圓的存儲位增加約70%，橫向密度增加約10%，芯片尺寸減少約40%，相應(yīng)地每層密度提高從而大幅降低了單位比特成本。

       162層的堆棧層數(shù)并非目前業(yè)界最多，但西部數(shù)據(jù)方面認為，“存儲密度并非層數(shù)競爭”，閃存行業(yè)發(fā)展至3D時代，更多層不等同于更先進，完整的NAND等式應(yīng)該是更多層疊加每層更高效率。