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消息稱蘋(píng)果計(jì)劃iPhone 15使用臺(tái)積電3nm芯片

發(fā)布時(shí)間:2022-09-16發(fā)布人:

消息稱蘋(píng)果計(jì)劃iPhone 15使用臺(tái)積電3nm芯片



蘋(píng)果已經(jīng)正式發(fā)布了iPhone 14系列新機(jī),這次只有Pro版用上了全新的A16芯片,標(biāo)準(zhǔn)版依然是A15。

不過(guò)從目前曝光的跑分信息來(lái)看,繼續(xù)采用4nm工藝的A16也開(kāi)始了擠牙膏,整體性能上對(duì)比A15的提升非常有限。

看來(lái)蘋(píng)果也不能在4nm工藝下帶來(lái)更強(qiáng)的優(yōu)化了,而下一步想要繼續(xù)提升性能,必須要上更先進(jìn)的制程。

根據(jù)最新報(bào)道,蘋(píng)果計(jì)劃在明年成為第一家使用臺(tái)積電N3E工藝的公司,并將芯片配備到新一代的 iPhone 和 Mac上,iPhone 15 Pro系列勢(shì)必會(huì)搭載這一芯片,性能上會(huì)有明顯提升。

據(jù)悉,N3E是臺(tái)積電最新一代的3nm工藝,也就是3nm Ehanced增強(qiáng)版,在N3的基礎(chǔ)上提升性能、降低功耗、擴(kuò)大應(yīng)用范圍。

對(duì)比N5同等性能和密度下功耗降低34%、同等功耗和密度下性能提升18%,或者可以將晶體管密度提升60%。

此前有泄露的內(nèi)部PPT顯示臺(tái)積電的N3E工藝進(jìn)展非常好,良率喜人。

其中N3E工藝生產(chǎn)的256Mb SRAM芯片良率可達(dá)80%,移動(dòng)及HPC芯片良率也是80%,環(huán)式振蕩器良率甚至能達(dá)到92%。




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