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外媒：三星計劃本月開設NAND閃存新研發(fā)中心

據外媒《BusinessKorea》8月17日報道，三星預計將在今年內發(fā)布236層NAND閃存產品。此外，三星還計劃在本月開設一個新的研發(fā)中心，該中心將負責開發(fā)更先進的NAND閃存產品。

自2020年三星推出176層第七代V-NAND閃存之后，三星目前的層數記錄是176層。

NAND廠商們正在競相增加其層數。SK海力士于今年8月初完成了業(yè)界最高238層4D NAND閃存研發(fā)，并計劃在2023H1量產。

美光科技于今年7月宣布，公司已開發(fā)出232層NAND閃存產品，產品現已在美光新加坡工廠量產。未來，美光還將發(fā)力2YY、3XX與4XX等更高層數。

西部數據與鎧俠于去年合作開發(fā)出162層的BiCS6 FLASH? 3D NAND，并計劃2022年底前開始量產。未來，西數/鎧俠將發(fā)力200+層（2XX層）閃存技術，2032年之前還將陸續(xù)推出300層以上、400層以上與500層以上閃存技術。

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