6月25日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆技術(shù)專家委員會成功召開。中國科學(xué)院院士、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主任郝躍，中國科學(xué)院院士江風(fēng)益，中國工程院院士歐陽曉平，中國科學(xué)院院士楊德仁等數(shù)十名國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)和產(chǎn)業(yè)專家出席會議。華燦光電與國創(chuàng)中心共建的微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心在會議上授牌，首席技術(shù)官王江波博士入選第一屆技術(shù)專家委員。
華燦光電助力第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新 共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心
發(fā)布時間：2022-06-28發(fā)布人：
華燦光電助力第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新 共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心
6月25日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆技術(shù)專家委員會成功召開。圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求，面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，會上新啟動共建了8家聯(lián)合研發(fā)中心。
圍繞產(chǎn)業(yè)鏈需求，面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，會上新啟動共建了8家聯(lián)合研發(fā)中心，包括微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心。
同時，國創(chuàng)中心第一屆技術(shù)專家委員會正式成立，由來自第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)W術(shù)界、產(chǎn)業(yè)界的六十余位頂尖專家組成。
華燦光電自成立以來堅持自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，目前公司已成立珠海華發(fā)華燦先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、浙江省第三代半導(dǎo)體重點實驗室、博士后工作站、企業(yè)研究院等研發(fā)機(jī)構(gòu)。此次與國創(chuàng)中心共建微顯示LED技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心，將充分發(fā)揮華燦光電在第三代半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域多年的技術(shù)積累與創(chuàng)新優(yōu)勢，依托國創(chuàng)中心國家級戰(zhàn)略科技力量和創(chuàng)新平臺，構(gòu)建研發(fā)資源整合，重點聚焦第三代半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域新技術(shù)的突破，加速公司技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展。
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