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氮化鎵射頻這么火?1天2個項目,合計40億元!

發(fā)布時間:2021-08-03發(fā)布人:

氮化鎵射頻這么火?1天2個項目,合計40億元!
來源:第三代半導(dǎo)體風向



     芯泳:投資20億建氮化鎵射頻項目

 7月29日,據(jù)“浦東國資”公眾號消息,上海舉行了關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)企業(yè)集中簽約儀式,現(xiàn)場合計6家企業(yè)簽約落戶金橋綜保區(qū),其中包括芯躍半導(dǎo)體。

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       芯躍半導(dǎo)體成立于2021年5月,主攻氮化鎵材料及5G射頻器件。根據(jù)企查查,芯躍隸屬于上海芯泳半導(dǎo)體有限公司和上海夕心半導(dǎo)體科技有限公司。
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       根據(jù)“浦東國資”消息,2020年11月6日,芯泳半導(dǎo)體“氮化鎵材料及5G射頻器件項目”簽約落地上海,總投資額約20億元,由中科院趙連城院士和董紹明院士領(lǐng)銜。


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今年2月19日,夕心半導(dǎo)體與金橋綜保區(qū)簽約,表示將設(shè)立新公司,主要與GaN制備技術(shù)相關(guān)。


       株洲:引入20億氮化鎵射頻芯片項目


       7月29日,據(jù)《長沙晚報》報道,湖南先進制造業(yè)推介會在深圳召開,長株潭三市首次聯(lián)合招商,并發(fā)布192個先進制造業(yè)項目,其中包括“第三代半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片晶圓廠項目。“

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       根據(jù)當?shù)卣猩桃Y項目文件,株洲市擬引入第三代半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片晶圓項目,建設(shè)氮化鎵射頻芯片生產(chǎn)線,形成產(chǎn)業(yè)集聚。該項目總投資為20億元,預(yù)計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值約15-20億元。

       在這次推介會上,株洲市有6個項目簽約,但沒有明確提到氮化鎵項目簽約情況,“三代半風向”將持續(xù)關(guān)注相關(guān)進展。

       (聲明:本文版權(quán)歸原作者所有,轉(zhuǎn)發(fā)僅為更大范圍傳播,若有異議請聯(lián)系我們修改或刪除:wang@cgbtek.com