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徐州致能半導體氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產項目預計11月投產

集微網消息，據徐州日報報道，致能半導體氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產項目正在進行研發(fā)試驗片的試生產。當前130名員工全部復工，生產線處于滿線生產狀態(tài)，研發(fā)試驗片的月產量能達到1000多件。

去年1月，致能半導體上馬的氮化鎵及其共封裝器件研發(fā)生產項目正式開工建設，11月進入聯調聯試階段，今年11月，氮化鎵及共封裝器件研發(fā)生產項目預計可正式投產。

據悉，徐州致能半導體自主研發(fā)的氮化鎵芯片共封裝技術，把氮化鎵功率芯片與硅驅動芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封裝在一起，形成氮化鎵芯片共封裝器件，可有效降低氮化鎵芯片與其它芯片之間傳統(tǒng)PCB板連接導致的延時較大、寄生電感較大、干擾嚴重等問題，能夠較好發(fā)揮氮化鎵芯片的高頻優(yōu)勢。

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