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碳化硅（SiC）：新一代半導(dǎo)體材料，打開新能源車百億市場空間 

碳化硅：

前途光明的第三代半導(dǎo)體材料。我們認(rèn)為下游電力電子領(lǐng) 域向高電壓、高頻等趨勢邁進(jìn)，碳化硅材料的特性決定了它將會逐 步取代傳統(tǒng)硅基，打開巨大的市場空間。由于碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈涉及多 個復(fù)雜技術(shù)環(huán)節(jié)，將會通過系列報告形式對其進(jìn)行完整梳理。

第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越，應(yīng)用場景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息 技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，經(jīng)歷了數(shù)代的更迭。隨著應(yīng)用場景提出更高的要 求，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化 加速放量階段。相較于前兩代材料，碳化硅具有耐高壓、耐高溫、 低損耗等優(yōu)越性能，廣泛應(yīng)用于制作高溫、高頻、大功率和抗輻射 電子器件。

國外廠商多以 IDM 模式布局，國內(nèi)企業(yè)專注單個環(huán)節(jié)。碳化硅產(chǎn) 業(yè)鏈依次可分為：襯底、外延、器件、終端應(yīng)用。國外企業(yè)多以 IDM 模式布局全產(chǎn)業(yè)鏈，如 Wolfspeed、Rohm 及意法半導(dǎo)體 （ST），而國內(nèi)企業(yè)則專注于單個環(huán)節(jié)制造，如襯底領(lǐng)域的天科合 達(dá)、天岳先進(jìn)，外延領(lǐng)域的瀚天天成、東莞天域，器件領(lǐng)域的斯達(dá) 半島、泰科天潤。

新能源車領(lǐng)域?qū)?SiC 功率器件帶來巨大增量。在新能源車上， 碳化硅器件主要使用在主驅(qū)逆變器、OBC（車載充電機(jī)）、DC-DC 車載電源轉(zhuǎn)換器和大功率 DCDC 充電設(shè)備。隨著各大車企相繼推出 800V 電壓平臺，為滿足大電流、高電壓的需求，電機(jī)控制器的主 驅(qū)逆變器將不可避免的由硅基 IGBT 替換為 SiC-MOS，帶來巨大增 長空間。

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