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2021年芯片制造業(yè)回顧:代工巨頭忙擴產、并購潮流依舊

發(fā)布時間:2022-01-26發(fā)布人:

2021年芯片制造業(yè)回顧:代工巨頭忙擴產、并購潮流依舊

來源:全球半導體觀察  

2021年已經落下帷幕,過去一年半導體產業(yè)飽受“缺芯”困擾,供需也迎來結構性變化,這使得半導體產業(yè)鏈中游的芯片制造環(huán)節(jié)備受關注。
  
  回顧2021年芯片制造領域發(fā)展,半導體需求短缺大環(huán)境下,企業(yè)產能滿載,晶圓代工巨頭加足馬力紛紛擴產;與此同時,并購作為半導體產業(yè)長期熱門話題,也在芯片制造領域頻繁上演,助力半導體產業(yè)發(fā)展。
  
  01臺積電領銜,晶圓代工巨頭忙擴產
  
  過去一年,以臺積電為首的各大晶圓代工巨頭紛紛宣布擴產,以滿足半導體市場不斷攀升的晶圓代工需求。
  
  表格整理:全球半導體觀察
  
  臺積電:3年投入1000億美元,用于擴產與技術提升
  
  2021年4月臺積電對外宣布計劃3年內投入1000億美元,用于擴產以及技術發(fā)展。
  
  4月22日,臺積電召開臨時董事會,通過資本預算案28.87億美元,將用于擴充成熟制程產能。
  
  11月9日,臺積電宣布將與索尼共同成立子公司日本先進半導體制造公司,并自2022年開始興建12英寸晶圓廠。
  
  11月9日臺積電董事會決議,向臺灣地區(qū)高雄市承租土地建廠,設立生產7納米及28納米制程晶圓廠。
  
  三星電子:預計到2026年產能將達到2021年的3倍
  
  2021年5月13日,三星電子宣布將在2030年之前對包含晶圓代工在內的系統(tǒng)半導體事業(yè)投資171萬億韓元,藉此加快晶圓代工工程的研發(fā)及設備投資。
  
  10月28日,三星電子表示,計劃擴大晶圓代工產能,預計到2026年產能將達到目前的3倍。
  
  11月,三星電子宣布將投資170億美元在美國德州興建以5納米先進制程為主的12英寸晶圓廠,新的晶圓廠預計將于2022年動工,2024年完工投產。
  
  聯(lián)電:擴充12英寸廠Fab12AP6廠區(qū)產能
  
  2021年4月22日,聯(lián)電宣布將與聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠等大型芯片廠共同攜手,通過全新的雙贏合作模式,擴充在臺南科學園區(qū)的12英寸廠Fab12AP6廠區(qū)的產能。
  
  根據(jù)協(xié)議,聯(lián)電的客戶將以議定價格預先支付訂金,確保取得P6未來產能的長期保障,產能擴建計劃總投資金額約1000億元新臺幣,將于2023年第二季投入生產。
  
  英特爾:公布IDM2.0戰(zhàn)略,將在全球范圍內增加產能
  
  2021年3月23日,英特爾對外公布“IDM2.0”戰(zhàn)略,宣布在美國亞利桑那州投資200億美元,新建兩座晶圓廠。同時表示將打造世界一流的代工業(yè)務——英特爾代工服務。
  
  9月7日,英特爾CEO帕特·基辛格表示,在未來10年時間里,英特爾可能會在歐洲投資最多800億歐元以提高其在該地區(qū)的芯片產能。
  
  12月23日,外媒報道英特爾計劃在全球范圍內增加產能,具體舉措將包括在法國和意大利增設工廠,以及在德國建立一個主要生產基地。
  
  格芯:將在新加披、美國建造新晶圓廠
  
  2021年6月22日,格芯宣布在新加坡投資超過40億美元,用于建設新晶圓工廠和擴大產能。格芯將建設新的300mm晶圓廠,計劃在2023年投產,投產后,將為格芯增加每年45萬片晶圓的生產能力,而格芯新加坡生產基地的生產能力將提升至約每年150萬片晶圓。
  
  7月20日,格芯對外公布了未來幾年在美國紐約州上城區(qū)最先進制造工廠的擴建計劃,包括解決其現(xiàn)有Fab8廠的全球芯片短缺問題,以及在同一園區(qū)建設一座新的晶圓廠,格芯將投資10億美元,在現(xiàn)有晶圓廠基礎上每年新增15萬片晶圓的產能。
  
  中芯國際:投建上海/深圳12英寸工廠
  
  2021年3月17日,中芯國際表示將和深圳政府擬以建議出資的方式,經由中芯深圳進行項目發(fā)展和營運,重點生產28納米及以上的集成電路并提供技術服務,旨在實現(xiàn)最終每月約4萬片12英寸晶圓的產能,預期將于2022年開始生產。
  
  9月4日,中芯國際宣布擬與上海臨港新片區(qū)管委會合作共同成立一家12英寸晶圓代工生產線項目合資公司。雙方將耗資約88.7億美元,共同規(guī)劃建設一座產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線。(注:2022年1月,中芯國際臨港基地項目開工建設。)
  
  02不懼疫情、“缺芯”困擾,2021年芯片制造并購不斷
  
  盡管產業(yè)發(fā)展仍面臨疫情、“缺芯”等因素困擾,2021年半導體產業(yè)仍舊并購不斷,其中不乏芯片制造并購案例。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計,過去一年,半導體產業(yè)共誕生7起芯片制造并購事件。
  
  表格整理:全球半導體觀察
  
  世界先進收購L3B廠房
  
  2021年4月28日,世界先進宣布以新臺幣9.05億元(約合人民幣2.1億元)的價格購買友達位于臺灣地區(qū)竹科的L3B廠房及廠內相關設施。
  
  L3B廠廠房的月產能約4萬片8英寸晶圓,世界先進、友達雙方約定交割日為2022年1月1日。
  
  德州儀器收購美光Lehi晶圓廠
  
  美國當?shù)貢r間6月30日,德州儀器宣布將以9億美元收購美光位于美國猶他州的Lehi300mm晶圓廠。
  
  Lehi晶圓廠將是德州儀器的第四個300mm晶圓廠,加上DMOS6、RFAB1和即將完工的RFAB2,成為德州儀器晶圓廠制造業(yè)務的一部分。
  
  鴻海收購旺宏6英寸晶圓廠
  
  2021年8月5日,鴻海與旺宏共同舉辦簽約儀式,鴻海將以新臺幣25.2億元購買旺宏位在臺灣地區(qū)新竹科學園區(qū)的6英寸晶圓廠廠房及設備。
  
  取得該6英寸晶圓廠后,鴻海將用來開發(fā)與生產第三代半導體,特別是電動車使用的SiC功率組件。
  
  安世半導體完成收購NWF
  
  2021年8月16日,聞泰科技宣布安世半導體完成了對晶圓制造商NewportWaferFab母公司NEPTUNE6LIMITED全部股權收購。
  
  NWF每月產能超過3.5萬片8英寸晶圓。完成后,安世半導體擁有NWF在化合物半導體等領域的高端技術。
  
  SK海力士收購KeyFoundry
  
  2021年10月29日,SK海力士宣布將以5760億韓元收購韓國晶圓代工廠商KeyFoundry。
  
  KeyFoundry是韓國一家8英寸晶圓代工廠,2020年9月從MagnaChip半導體公司獨立出來,月產能為8.2萬片。SK海力士表示,此次收購將使其8英寸代工產能翻一番。
  
  賽微電子擬收購德國Elmos汽車芯片產線
  
  2021年12月14日,賽微電子宣布公司全資子公司瑞典Silex擬以8450萬歐元收購Elmos汽車芯片制造產線相關資產。
  
  賽微電子表示,此次收購將把核心主業(yè)傳感器和芯片工藝制造的業(yè)務范圍進一步拓寬至汽車電子領域。
  
  SK海力士收購英特爾大連NAND閃存制造廠的資產及SSD業(yè)務
  
  2021年12月30日,SK海力士宣布完成了收購英特爾NAND閃存及SSD業(yè)務案的第一階段。
  
  作為對價,SK海力士向英特爾支付70億美元。此后,預計在2025年3月或之后的第二階段交割時,SK海力士將支付20億美元余款從英特爾收購其余相關有形/無形資產。
  
  032022年產業(yè)展望,“漲”聲一片,芯片產能如何?
  
  產能不足態(tài)勢之下,漲價成為2022年芯片制造領域關鍵詞之一。
  
  媒體報道,臺積電、聯(lián)電、三星、世界先進等晶圓代工廠商此前已經早早公布2022年第一季度漲價計劃。
  
  1、臺積電計劃在2022年初將部分8英寸與12英寸制程價格上調10%-20%。
  
  2、聯(lián)電將在2022年1月啟動新一波長約漲價,漲幅約8%到12%,同時上調28納米、22納米制程報價。3月聯(lián)電則將上調全品項晶圓代工報價,漲幅為5%到10%。
  
  3、三星已經通知客戶將代工價格提高15%至20%。具體漲幅根據(jù)客戶訂單量、芯片種類和合同期限決定,新價格將在2022年第一季度生效。
  
  除此之外,力積電、世界先進也計劃2022年第一季度上調報價。
  
  晶圓代工廠商喊漲過后,業(yè)界關心緊張的供需情況是否會在2022年有所緩解。
  
  對此,全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢認為,各大晶圓代工廠宣布擴建的產能將陸續(xù)在2022年開出,新增產能集中在40納米及28納米制程,預計現(xiàn)階段極為緊張的芯片供應將稍為緩解。
  
  然而,由于新增產能貢獻產出的時間點落在2022下半年,屆時正值傳統(tǒng)旺季,在供應鏈積極為年底節(jié)慶備貨的前提下,產能緩解的情況有可能不太明顯。
  
  TrendForce集邦咨詢進一步指出,雖然部分40/28納米制程零部件可稍獲舒緩,但8英寸生產線主導的0.1微米級工藝和12英寸生產線的1Xnm工藝,增產幅度有限,屆時產能仍有可能不能滿足需求。
  
  整體來說,2022年晶圓代工產能將仍然處于略為緊張的市況,雖部分零部件可望紓解,但長短料問題仍將持續(xù)沖擊部分終端產品。



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