SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物,即百分之五十的硅(Si)和百分之五十的碳(C),其基本結(jié)構(gòu)單元為 Si-C 四面體。
SiC 是一種二元化合物,其中 Si-Si 鍵原子間距為3.89 ?,這個間距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻機光刻精度3nm,就是30?的距離,光刻精度是原子距離的8倍。
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol,可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度,鍵能越大,需要拉開的力越大。
Si-C鍵原子間距為 1.89 ?, 鍵能大小為 447 kJ/mol。
從鍵能上可以看出相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體材料,碳化硅基半導(dǎo)體材料化學(xué)性質(zhì)更加穩(wěn)定。
SiC 晶體結(jié)構(gòu)還可以采用層狀結(jié)構(gòu)方法描述,晶體中的若干C原子均占據(jù)在同一平面上的六方格位點中,形成一個C原子密排層,而Si原子也占據(jù)在同一平面上的六方格位點中并形成一個Si原子密排層。
C原子密排層中的每一個C都與最鄰近的Si相連接,反之Si原子密排層也相同。每兩個相鄰的 C、Si原子密排層構(gòu)成一個碳硅雙原子層。
SiC晶體的排列組合形式十分豐富,目前已發(fā)現(xiàn)的SiC晶型達(dá) 200 多個。
這個類似俄羅斯方塊,雖然最小單元方塊都一樣,但方塊組合在一起后,就拼成出了不同形態(tài)。
SiC的空間結(jié)構(gòu)比俄羅斯方塊稍微復(fù)雜點,它的最小單元從小方格變成小四面體,由C原子和Si原子組成的四面體。
為了區(qū)分 SiC 的不同晶型,目前主要采用 Ramsdell 方法進行標(biāo)記。該方法采用字母與數(shù)字相結(jié)合的方法來表示SiC 的不同晶型。
其中字母放在后面,用來表示晶體的晶胞類型。C 代表立方晶型(英文Cubic首字母),H 代表六方晶型(英文Hexagonal首字母),R 代表菱形晶型(英文Rhombus首字母)。數(shù)字放在前面,用來表示基本重復(fù)單元的Si-C雙原子層的層數(shù)。
除2H-SiC與3C-SiC外,其它晶型均可視為閃鋅礦與纖鋅礦結(jié)構(gòu)的混合體,也就是密排六方結(jié)構(gòu)。
C面是指碳化硅晶片的(000-1)晶面,即晶體沿著c軸的負(fù)方向切割的表面,該表面的終止原子是碳原子。
硅面是指碳化硅晶片的(0001)晶面,即晶體沿著c軸的正方向切割的表面,該表面的終止原子是硅原子。
C面和硅面的不同會影響碳化硅晶片的物理性能和電學(xué)性能,如熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率、載流子遷移率、界面態(tài)密度等。
C面和硅面的選擇也會影響碳化硅器件的制造工藝和性能,如外延生長、離子注入、氧化、金屬沉積、接觸電阻等。
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