2025年EUV光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超過(guò)2億美元
2025年EUV光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超過(guò)2億美元
（中國(guó)電子報(bào) 張心怡）電子材料咨詢機(jī)構(gòu)TECHCET近期研報(bào)（以下簡(jiǎn)稱研報(bào)）顯示，隨著高端芯片所需的先進(jìn)制程工藝加速引入EUV，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等EUV光刻膠的市場(chǎng)規(guī)模將在2025年超過(guò)2億美元。
光刻膠是光刻工藝的核心耗材，EUV光刻膠是其中發(fā)展最快的品類(lèi)之一。TECHCET此前報(bào)告指出，用于半導(dǎo)體的光刻膠的營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)在2022年增長(zhǎng)7.5%至23億美元，2025年超過(guò)25億美元，2021年—2026年復(fù)合增長(zhǎng)率為5.9%。而EUV光刻膠2021年的市場(chǎng)規(guī)模僅約0.6億美元，預(yù)計(jì)到2025年達(dá)到2億美元，2020年-2025年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)50%，遠(yuǎn)高于光刻膠市場(chǎng)平均增速。
研報(bào)指出，金屬氧化物、干沉積、多觸發(fā)等光刻膠材料在EUV技術(shù)平臺(tái)有著較為廣闊的應(yīng)用前景。金屬氧化物光刻膠具有高耐蝕性，可以消除在抗蝕劑上面所需的額外層。干沉積光刻膠提供了消除液體顯影和沉積的機(jī)會(huì)。多觸發(fā)光刻膠能夠持續(xù)使用較低的曝光能量，在多次曝光中發(fā)揮作用。
目前，IC、存儲(chǔ)器等半導(dǎo)體器件制造廠商都在引入EUV技術(shù)。在邏輯IC方面，隨著先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)的不斷引入，EUV技術(shù)被規(guī)模化應(yīng)用，EUV光刻膠的市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)。在存儲(chǔ)器方面，存儲(chǔ)廠商已經(jīng)開(kāi)始將EUV技術(shù)引入DRAM生產(chǎn)。除了光刻膠，EUV也帶來(lái)了掃描儀光學(xué)器件和3D模式技術(shù)等一系列變化。
而g線、i線、KrF、ArF等相對(duì)成熟制程使用的光刻膠也有望保持增長(zhǎng)。KrF光刻膠在3D NAND存儲(chǔ)器用量和堆疊層數(shù)不斷增加的過(guò)程中保持增長(zhǎng)。ArF光刻膠也隨著多重曝光技術(shù)的使用實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)。
“隨著晶圓代工廠在先進(jìn)制程的資本支出越來(lái)越高，光刻材料在半導(dǎo)體制造中變得至關(guān)重要，是光刻加工的重要組成。因此，EUV等材料和工藝創(chuàng)新會(huì)加速發(fā)展?！盩ECHCET首席執(zhí)行官Lita Shon-Roy表示。
研報(bào)顯示，在EUV光刻膠等材料的推動(dòng)下，光刻材料市場(chǎng)有望在未來(lái)3-4年隨著細(xì)線寬（孔間四條線或平均線寬在5～6mil以下稱為細(xì)線）器件制造實(shí)現(xiàn)5倍的增長(zhǎng)。
轉(zhuǎn)載：中國(guó)電子報(bào)
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