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臺灣第三代半導(dǎo)體新進展!太極子公司4吋半絕緣SiC襯底開始送樣!

發(fā)布時間:2021-08-11發(fā)布人:

                                                     臺灣第三代半導(dǎo)體新進展!太極子公司4吋半絕緣SiC襯底開始送樣!
                                                                             來源:化合物半導(dǎo)體市場

       據(jù)最新消息,臺灣太陽能廠商太極旗下盛新材料于昨日(8月9日)宣布,其 4吋半絕緣SiC襯底已送樣驗證,力爭今年底量產(chǎn)。


       目前盛新材料擁有16臺長晶爐,其中1臺和集團母公司廣運共同研發(fā)成功的長晶爐,單月有效產(chǎn)量達400片。


       SiC襯底進入量產(chǎn)前,須經(jīng)過三階段測試驗證,通常為期一年時間,第一階段為送樣測試;第二階段為試產(chǎn);第三階段則進入每月百片以上量產(chǎn)規(guī)模測試。且通常在進入第二階段時,客戶便會提前預(yù)定產(chǎn)能。


      大尺寸SiC長晶技術(shù)方面,盛新已掌握6吋晶錠從熱場模擬、材料、制程的擴晶技術(shù),未來將直接切入6吋SiC襯底。

 

      另一方面,臺灣知名硅晶圓大廠環(huán)球晶圓的化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù)也在積極跟進,日前涉足SiC襯底和GaN外延片。


      其SiC襯底集中在6吋導(dǎo)電型,目前月產(chǎn)能逾2,000片,年底會擴至5,000片;GaN-on-Si外延片月產(chǎn)能2,000片,以6吋產(chǎn)品為主;而在GaN-on-SiC外延片方面,因難度較高,目前以4吋片小批量出貨。


       值得注意的是,環(huán)球晶圓下半年將合并德國Siltronic,兩者的GaN-on-Si技術(shù)或?qū)⑸疃热诤?。同時,此次收購后,預(yù)計環(huán)球晶圓將成為全球第二大硅晶圓廠,甚至有可能超過日本信越躍居第一。


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