據(jù)外媒介紹，三星正準備開始量產(chǎn)其第 8 代 V-NAND 內(nèi)存，該內(nèi)存將具有 200 多層，并為固態(tài)存儲設備帶來更高的性能和位密度。

報道指出，三星在 2013 年憑借 24 層 V-NAND 閃存領先競爭對手數(shù)年，其他公司花了相當長的時間才趕上。但從那以后，這家韓國巨頭變得更加謹慎，因為構(gòu)建數(shù)百層的 NAND 變得越來越困難。今年，美光和 SK 海力士憑借 232 層和 238 層 3D TLC NAND 設備擊敗了三星。但據(jù)韓國商業(yè)報道，V-NAND 開發(fā)商并沒有停滯不前，正準備開始批量生產(chǎn) 236 層的 3D NAND 存儲器（當然，將被命名為 V-NAND。.

三星在 2021 年年中生產(chǎn)了首批超過 200 層的 V-NAND 內(nèi)存樣品，因此它現(xiàn)在應該有足夠的技術經(jīng)驗來啟動此類設備的批量生產(chǎn)。不幸的是，目前很難判斷三星即將推出的第 8 代 V-NAND 芯片的容量。盡管如此，我們確信該公司的下一代 NAND 內(nèi)存目標之一將是更快的接口速度和其他性能特征，以實現(xiàn)下一代最佳 SSD。

為了為即將推出的具有 PCIe Gen5 接口的臺式機和筆記本電腦以及支持 UFS 3.1 和 4.0 接口的智能手機構(gòu)建具有競爭力的固態(tài)存儲解決方案，三星需要具有高速接口的 NAND 設備。今天三星的 V7-NAND 已經(jīng)具有高達 2.0 GT/s 的接口速度，但我們預計該公司將進一步提高其 V8-NAND 的接口速度。

三星第 8 代 V-NAND 的另一項期望是增加程序塊大小并減少讀取延遲，從而優(yōu)化大容量 3D NAND 設備的性能。但不幸的是，確切的特征是未知的。

雖然增加 NAND 層的數(shù)量有時被認為是閃存擴展的一種簡單方法，但事實并非如此。使 NAND 層更?。ㄒ虼?NAND 單元更?。┬枰褂眯虏牧蟻砜煽康卮鎯﹄姾?。此外，由于蝕刻數(shù)百層具有挑戰(zhàn)性（并且在經(jīng)濟上可能不可行），3D NAND 制造商需要采用串堆疊等技術來構(gòu)建具有數(shù)百層的 3D NAND。三星尚未在其 176 層 V7-NAND 中采用串堆疊，但該技術是否會用于 236 層 V8-NAND 還有待觀察。

NAND是一個競爭激烈、不斷進步的市場。制造和出貨的 NAND 位數(shù)以每年 30% 到 35% 的速度增長，每 2 到 3 年翻一番。最初的看法是，這需要大量資金專門用于新設備，但 NAND 行業(yè)從 2017 年到 2022 年每年僅在晶圓制造設備上花費了150億到200億美元，盡管呈指數(shù)級增長，但生產(chǎn)NAND的成本迅速下降。

幾十年前，類似的成本縮放改進在 DRAM 和邏輯等其他半導體技術中很常見，但這些子行業(yè)會認為這種改進速度在后摩爾定律宇宙中是不可持續(xù)的。生產(chǎn)力的提高主要是由 Lam Research 蝕刻和沉積工具的改進以及制造商開發(fā)的工藝節(jié)點推動的。

從歷史上看，當半導體行業(yè)進行如此快速的創(chuàng)新時，許多公司在技術上被拋在了塵埃中。行業(yè)整合出現(xiàn)。只出現(xiàn)了幾個強者。3D NAND 今天也處于類似的位置，該行業(yè)的未來經(jīng)濟狀況也在不斷變化。英特爾賣掉了他們的NAND業(yè)務，鎧俠和西部數(shù)據(jù)出現(xiàn)了很大的動蕩。

在本報告中，我們希望對三星、SK 海力士、美光、Solidigm、長江存儲、西部數(shù)據(jù)和鎧俠的工藝技術進行狀態(tài)檢查。快速總結(jié)是，美光、SK 海力士和 YMTC 領先于其他公司。與此同時，三星在幾年前還是 NAND 技術的絕對領導者，卻奇怪地落后了。而來自中國的長江存儲現(xiàn)在出貨密度最高的3D NAND。

SemiAnalysis和Angstronomics編制了下表。它有許多細微差別，將在下文中解釋。

YMTC 對他們的新一代 NAND 非常低調(diào)，該系列新產(chǎn)品搭載了公司新一代的Xtacking 3.0 技術。在官方新聞稿中，他們沒說明新產(chǎn)品的層數(shù)。官方的路線并沒有將 Xtacking 3.0 作為業(yè)界最密集的 1Tb TLC NAND 進行推廣。

但在SemiAnalysis 看來，Xtacking 3.0 是密度最大的商用 1Tb TLC NAND，15.2Gbit/mm2；在層數(shù)上，據(jù)分析，長存產(chǎn)品的層數(shù)“超過230層”；我們相信232層；在性能上，該產(chǎn)品可與美光的 232 層 NAND 媲美，采用類似的 6 平面架構(gòu)，數(shù)據(jù)速率為 2.4Gbps。最后，它已經(jīng)送樣給合作伙伴。

我們通過在Angstronomics的虛擬幫助下測量物理die來確定這些事實?？梢栽L問物理die也使我們能夠確認它是 6 平面。我們在第 3 方臺灣公司的展位上發(fā)現(xiàn)了他們采用 SSD 封裝的新 NAND。他們很高興告訴我們其他一些細節(jié)，包括發(fā)貨時間。

據(jù)報道，長江存儲在新產(chǎn)品上還用上了很多新技術，例如陣列上的混合鍵合 CMOS、中心驅(qū)動器 XDEC，以及從前端深溝工藝到后端源連接 (BSSC) 的過渡。YMTC 還計劃為內(nèi)存處理實現(xiàn)進一步的邏輯，包括采用堆疊 CMOS 技術的神經(jīng)形態(tài)類型計算。

長江存儲不是模仿者。他們正在構(gòu)建自己的創(chuàng)新和獨特的產(chǎn)品，他們在 NAND 領域憑借本土創(chuàng)新領先于其他玩家。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)在 3D NAND 的制造和技術開發(fā)方面進行了合作，因此它們被組合在一起。他們估計，Zettabyte 的 NAND 將在 2022 年出貨。他們的閃存峰會演講涵蓋了 3D NAND 縮放的一些權(quán)衡?？s放有 4 個主要向量，垂直縮放、橫向縮放、架構(gòu)縮放和邏輯縮放。

上面是一張關于 SLC、MLC、TLC、QLC 和 PLC 縮放的有趣幻燈片。隨著越來越多的位存儲在一個單元中，讀取延遲會增加，并且程序擦除周期的耐久性會降低。鎧俠和西部數(shù)據(jù)正在探索使用每個單元 4.5 位或每個 NAND 單元 3.5 位來增加密度和降低成本，同時不犧牲盡可能多的延遲和耐用性。

在 3D NAND 中，工程選擇通常取決于性能、成本和耐用性。對于同等容量的 SSD 而言，更大的容量更具成本效益，但性能較差。較大的單元尺寸性能更好，但由于難以擴展到更高的層數(shù)，因此制造成本更高。

PCIe 多年來一直停留在 3.0 上，但近年來代際改進加速。這導致了許多創(chuàng)新，以使可用帶寬完全飽和。鎧俠和西部數(shù)據(jù)表示，他們的 NAND 接口帶寬每一代都增加了 30%。此外，他們引入了異步獨立平面讀取，這使得每個平面中的讀取可以更有效地打包（大多數(shù)競爭對手引入了這一點或?qū)⒃谒麄兊囊淮羞@樣做）。由于這些創(chuàng)新，隨機讀取性能顯著提高。

西部數(shù)據(jù)和鎧俠的路線圖包括擴展層以及非層數(shù)相關技術。晶圓鍵合被列為下一個被采用作為提高單元陣列效率的技術。這是長江存儲第三次迭代的 Xtacking 3.0 的技術。PLC NAND也在考慮之中。Western Digital 告訴我們，他們甚至在實驗室中試驗了高達 7 位/單元（128 個電壓等級）。它存在于他們的實驗室中，但需要由液氮維持的極低溫度。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)是僅有的在其路線圖中使用 PLC 電荷陷阱存儲器的公司。CMOS 縮放和單元間距縮放也在路線圖上。他們討論的最后一項技術是多堆疊。CMOS 陣列和多個 NAND 陣列都將采用順序混合鍵合方法進行堆疊。理論上，這項技術的成本改進很小，但密度增益將是巨大的。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)還開發(fā)了第二代存儲級內(nèi)存，他們將其作為 XL-Flash-2 銷售。由于成本較高，它是否會增加產(chǎn)量還有待觀察，但由于使用 16 平面和 MLC NAND，它的速度要快得多。這僅適用于延遲較低的 CXL 總線上的大規(guī)模部署，但 DRAM 池/共享通常更適合這些工作負載。

長期以來，三星在 NAND 市場占有率最高。正如《非易失性存儲，輝煌70年！》所示，它們在歷史上引領了許多技術轉(zhuǎn)型。這種技術領先存在于他們的 128 層技術，這是世界上容量最大的 NAND 工藝節(jié)點。

3D NAND 中最關鍵的工藝步驟是通過多層 NAND 的高縱橫比蝕刻和隨后的沉積步驟。雖然業(yè)內(nèi)幾乎每個人都在這些關鍵步驟中使用 Lam Research 的工具，但三星是唯一一家同時蝕刻超過 120 層的公司。其他公司在其 100 層以上的 NAND 架構(gòu)上使用多個decks，但三星 128 層僅使用 1 層。例如，Solidigm 在其 144 層 NAND 上使用 3 層decks。每個deck額外增加成本。

盡管在 128 層方面處于領先地位，但三星多年來一直沒有推出新的 NAND 工藝技術。他們的 176 層和 >200 層 NAND 工藝技術尚未被逆向工程公司或拆解在任何 SSD 中發(fā)現(xiàn)。盡管他們聲稱會在 2021 年出貨 176 層消費級 SSD，但迄今沒有看到。雖然官方原因尚未披露，但據(jù)報道很可能源于文化問題引發(fā)的工藝問題。

三星仍然表示，第 7 代 V-NAND，176 層 512Gb TLC，2Gbps，是 2021 年的技術。他們還注意到 176 層 1Tb QLC 即將推出。第 8 代 V-NAND 超過 200 層。三星表示，它將是 2.4Gbps 的 1Tb TLC 裸片，將于 2022 年發(fā)貨。第 8 代將同時進行橫向收縮、更多層和外圍收縮。三星還在 2023 年推出了第 9 代 V-NAND。鑒于第 7 代 V-NAND 的表現(xiàn)，我們對他們的說法持懷疑態(tài)度。

三星處于不穩(wěn)定的境地，曾經(jīng)落后的公司現(xiàn)在正在競相領先，并開始實現(xiàn)更好的成本結(jié)構(gòu)。層數(shù)并不是 NAND 擴展的全部，許多其他因素都會影響最終的每比特成本。根據(jù)我們的成本模型，三星仍然擁有第二最具成本效益的 NAND 工藝技術，因為它具有高資本效率和良率以及長期存在的 128 層工藝節(jié)點。我們的理論是三星避免增加其 176 層 NAND，因為由于轉(zhuǎn)向 2 層架構(gòu)，它的成本效益低于 128 層。

如果三星繼續(xù)推遲其新的工藝節(jié)點，他們就有可能進一步落后。順便說一句，我們在閃存峰會上與來自競爭公司的許多工藝工程師進行了交談，他們對三星在 NAND 工藝節(jié)點轉(zhuǎn)換方面發(fā)生的事情感到非常困惑。

SK海力士在相對定位上一直在提升。他們在第四季度開始大規(guī)模生產(chǎn) 176 層 1Tb QLC，從而迅速提升了 176 層 TLC。我們的成本模型將 SK 海力士列為第三最具成本效益的 NAND 工藝技術，他們甚至可能很快與三星交換位置。

SK海力士238層明年上半年開始量產(chǎn)，512Gb TLC裸片。SK 海力士表示，新的 NAND 技術將在每個晶圓上多生產(chǎn) 34% 的比特，提高 50% 的 IO 速度，提高 10% 的程序性能，以及提高 21% 的讀取功率效率。這個 NAND 速度快到 2.4Gbps。美光和 YMTC 僅計劃在其 232 層數(shù)技術中使用 1Tb 裸片，但 SK 海力士可以使用更小的 512Gb 裸片實現(xiàn)相同的速度，并且僅使用 4 平面而不是 6 平面。

SK海力士提出的未來路線圖非常有趣。SK 海力士表示，他們計劃在 238 層一代之后繼續(xù)使用 Array NAND 下的 CMOS 再發(fā)展 3 代。特別是，接下來的 xxx 層 NAND 工藝將有更顯著的層數(shù)增加和更快的過渡。

SK 海力士因其長期的創(chuàng)新而有一個可怕的營銷名稱——4D^2。這些涉及共享位線和更多行。他們討論了使用串聯(lián)的 2 個單元來存儲超過 6 位的數(shù)據(jù)，而不是獨立的單元和存儲 8 個電壓電平用于每個單元 3 位的數(shù)據(jù)。所有這些技術的重點似乎是每層封裝更多位。

轉(zhuǎn)向 Solidigm（以前是英特爾的 NAND 業(yè)務），NAND 架構(gòu)有所不同。Solidigm 使用浮柵架構(gòu)，而 SK Hynix 使用電荷陷阱。SK 海力士計劃將其內(nèi)部電荷陷阱用于性能和主流，而 Solidigm 將用于價值和 HDD 更換領域。SK 海力士與英特爾之間的部分交易條款涉及工藝技術人員在幾年內(nèi)從英特爾轉(zhuǎn)移，而不是立即轉(zhuǎn)移。Solidigm 大連中國工廠將在英特爾開發(fā)的工藝技術上運行至少幾年。

下一代 Solidigm 浮柵節(jié)點為 192 層。我們相信這是一個 4 層設計，每層deck有 48 層。對于 TLC 架構(gòu)，該過程的成本效益將備受爭議。通過在每個單元中使用更多位可以緩解這種成本劣勢，這是浮動柵極架構(gòu)相對于電荷陷阱架構(gòu)的優(yōu)勢。雖然大多數(shù)電荷陷阱體積是 TLC（每個單元 3 位），但 Solidigm 節(jié)點專注于 QLC 的體積。

192 層 QLC 將配備 1.33Tb 芯片容量。由于必須準確地保持 16 個電壓電平以每個單元存儲 4 位，QLC 一直受到性能不佳的困擾，但新節(jié)點聲稱可以解決其中的許多問題。第 4 代 QLC 有一些非常出色的聲明，即程序?qū)懭霑r間提高 2.5 倍，隨機讀取提高 5 倍，在第 99 個百分位時讀取延遲提高 1.5 倍。這些改進將使 Solidigm 192 層 QLC 性能更接近電荷陷阱 TLC。

更令人興奮的變化是，192 層工藝將成為第一批具有 1.67Tb 裸片容量的 PLC NAND。使用 PLC，單元必須能夠準確地保持 32 個電壓電平，以便每個單元存儲 5 位。這將每個晶圓制造的位數(shù)提高了 25%，但犧牲了性能。鑒于 SK 海力士將 PLC NAND 作為 HDD 替代技術，性能受到的影響可能很大。作為一個有趣的噱頭，Solidigm 的團隊在使用 192 層 PLC NAND 的外部 SSD 上運行演示文稿。

美光一直是 NAND 行業(yè)的一顆冉冉升起的新型。幾年前，他們在 IMFT 合資企業(yè)中與英特爾結(jié)下了不解之緣。他們使用了浮動柵極架構(gòu)，與電荷陷阱相比，它的每比特成本或性能較差。他們在 DRAM 工藝技術方面也落后于三星幾年。

美光做出了一些根本性的改變，現(xiàn)在他們是內(nèi)存行業(yè)的領導者。Sanjay Mehrotra 是 SanDisk 的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官，該公司以190億美元的價格賣給了 Western Digital。不久之后，他被任命為美光的首席執(zhí)行官。英特爾合資公司（IMFT）解散，NAND架構(gòu)從浮柵過渡到電荷陷阱，3D XPoint 內(nèi)存開發(fā)也停止了。

修復了美光的一些潛在工藝和培養(yǎng)問題。美光從 3D NAND 中最差的成本結(jié)構(gòu)變成了 3D NAND 中最好的成本結(jié)構(gòu)。同樣，它們從密度最低、成本最高的工廠到每比特 DRAM 的晶圓廠，再到成本結(jié)構(gòu)第二好的出貨密度最高的 DRAM。

美光的大部分產(chǎn)能是 176 層，他們正在加速和出貨 232 層 NAND。美光的策略是保持晶圓開工率基本相同，并專注于更好的工藝技術以增加位出貨量。這使他們能夠降低資本支出，但仍保持市場份額。由于“芯片飯”，該策略可能會改變，因為在美國可能會發(fā)生總計400億美元的制造投資。

美光的 6 平面 2.4Gbps 1Tb TLC 232 層 NAND 出現(xiàn)在多個 SSD 和控制器公司的展位上。這些第 3 方公司告訴我，他們預計增長速度會很快，232 層將成為美光明年產(chǎn)量的主要部分。