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總投資80億元，湖南三安半導體項目二期工程開工

近日，長沙湘江新區(qū)全域145個重大項目集中啟動開竣工儀式，其中，湖南三安半導體項目二期項目工程正式開工。

三安半導體二期項目總投資80億元，占地面積480畝，按照規(guī)劃，二期項目預計將于今年內建成投產(chǎn)。

資料顯示，湖南三安半導體項目總投資約160億元，占地面積約1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權，以碳化硅、氮化鎵等為主的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地。

該項目分兩期建設，建設周期為48個月。一期項目主要聚焦碳化硅長晶、襯底、外延、芯片、器件封裝等廠房及相關配套設施建設，項目產(chǎn)品主要應用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和無線（5G）通訊等領域。

2021年6月，項目一期已實現(xiàn)點亮試投產(chǎn)，成為國內首條、全球第三條SiC垂直整合產(chǎn)線，產(chǎn)線覆蓋襯底材料、外延生長、晶圓制造、封裝測試等主要環(huán)節(jié)，建成后可實現(xiàn)6英寸SiC晶圓月產(chǎn)能30,000片。

據(jù)悉，目前一期項目長晶、襯底、外延、芯片車間已全線正式批量生產(chǎn)，月產(chǎn)能力2萬片。整個項目達產(chǎn)后，將實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元，年稅收13億元，增加就業(yè)1.2萬人。

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