銘鎵半導體完成近億元A輪融資，用于氧化鎵項目擴產和研發(fā)
銘鎵半導體完成近億元A輪融資，用于氧化鎵項目擴產和研發(fā)
6月30日，北京銘鎵半導體有限公司宣布完成近億元A輪融資。本輪融資將主要用于氧化鎵項目的擴產和研發(fā)。
銘鎵半導體成立于2020年，是國內率先專業(yè)從事超寬禁帶半導體氧化鎵材料開發(fā)及應用產業(yè)化的公司，專注于新型超寬禁帶半導體材料氧化鎵單晶、外延襯底和高頻大功率器件的制造，是國內較早將半導體氧化鎵材料產業(yè)化落地的企業(yè)之一。
業(yè)內普遍認為，氧化鎵將有望成為新一代半導體材料的代表。和前幾代材料相比，氧化鎵具有更優(yōu)良的化學和熱穩(wěn)定性、更低的成本價格、更高質量合成和更短的產業(yè)化優(yōu)勢，在大功率、抗輻射電子器件領域有廣泛的應用前景。
有專業(yè)機構預測，2020-2025年全球氧化鎵材料市場年均增長率在40%以上。到2030年，全球氧化鎵功率器件市場規(guī)模預計將達到200億元左右。
據洪泰基金消息，目前，銘鎵半導體布局了氧化鎵材料產業(yè)全鏈路，擁有國內僅有且完備的涵蓋晶體制備—晶體加工—外延制備—性能檢測—器件設計的標準線。2021年，2英寸氧化鎵襯底材料實現(xiàn)小批量生產，除科研院所研發(fā)之外，還提供給重要的企業(yè)客戶小批量使用。
據悉，銘鎵半導體的博士研發(fā)團隊來自日本國立佐賀大學、東京大學、清華大學、中國科學院等國內外頂尖高校和科研院所，多位核心產業(yè)成員具備10年以上半導體領域從業(yè)經驗，擁有專利技術40余項。
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