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科友半導體6英寸SiC晶體厚度突破32mm

在科友半導體產(chǎn)學研聚集區(qū)一期工程投產(chǎn)前夕，科友半導體實驗線傳出好消息，以科友半導體自主設備和技術研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達到32.146mm，業(yè)內(nèi)領先。

科友半導體成立于2018年，主要攻關第三代半導體材料和裝備。公司在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術的基礎上，不斷向產(chǎn)業(yè)化方向邁進，目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產(chǎn)權體系，具備規(guī)?；a(chǎn)條件。

科友半導體從成立伊始就致力于半導體技術和產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新。目前，公司自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。

研發(fā)進程
2022年2月,6英寸碳化硅晶體厚度突破20mm
2022年4月,6英寸碳化硅晶體厚度突破28mm
2022年6月,6英寸碳化硅晶體厚度突破32mm

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