氮化鎵射頻這么火？1天2個項目，合計40億元！
發(fā)布時間：2021-08-03發(fā)布人：
氮化鎵射頻這么火？1天2個項目，合計40億元！
來源：第三代半導體風向
芯泳：投資20億建氮化鎵射頻項目
7月29日，據“浦東國資”公眾號消息，上海舉行了關鍵技術研發(fā)企業(yè)集中簽約儀式，現場合計6家企業(yè)簽約落戶金橋綜保區(qū)，其中包括芯躍半導體。
芯躍半導體成立于2021年5月，主攻氮化鎵材料及5G射頻器件。根據企查查，芯躍隸屬于上海芯泳半導體有限公司和上海夕心半導體科技有限公司。
根據“浦東國資”消息，2020年11月6日，芯泳半導體“氮化鎵材料及5G射頻器件項目”簽約落地上海，總投資額約20億元，由中科院趙連城院士和董紹明院士領銜。 
今年2月19日，夕心半導體與金橋綜保區(qū)簽約，表示將設立新公司，主要與GaN制備技術相關。
株洲：引入20億氮化鎵射頻芯片項目
7月29日，據《長沙晚報》報道，湖南先進制造業(yè)推介會在深圳召開，長株潭三市首次聯合招商，并發(fā)布192個先進制造業(yè)項目，其中包括“第三代半導體氮化鎵射頻芯片晶圓廠項目。“
根據當地招商引資項目文件，株洲市擬引入第三代半導體氮化鎵射頻芯片晶圓項目，建設氮化鎵射頻芯片生產線，形成產業(yè)集聚。該項目總投資為20億元，預計達產后可實現年產值約15-20億元。
在這次推介會上，株洲市有6個項目簽約，但沒有明確提到氮化鎵項目簽約情況，“三代半風向”將持續(xù)關注相關進展。
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