華林嘉業(yè)近期活動(dòng)預(yù)覽
一、2023年11月23～25日第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)暨第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合創(chuàng)新發(fā)展論壇在廣州舉行，華林嘉業(yè)也將出席此次會(huì)議并設(shè)展位，展位號(hào)：B21，屆時(shí)歡迎您的蒞臨交流！
大會(huì)背景：
為緊跟國際功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展步伐，推動(dòng)我國新型半導(dǎo)體功率器件技術(shù)水平進(jìn)一步提高，加快其成果轉(zhuǎn)化和應(yīng)用推廣，增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力。由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件分會(huì)主辦的“第九屆全國新型半導(dǎo)體功率器件及應(yīng)用技術(shù)研討會(huì)”于20 23年11月23 ～25 日在廣州召開。
二、華林嘉業(yè)將于2023 年11 月27-30 日參加在廈門國際會(huì)議中心舉辦的第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），我司展位號(hào)為A29，期待您蒞臨展位交流、洽談商務(wù)！
國際第三代半導(dǎo)體論壇是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國地區(qū)的年度盛會(huì)，是前瞻性、全球性、高層次的綜合性論壇。
此次論壇的焦點(diǎn)：
1. 第三代半導(dǎo)體功率電子技術(shù)、光電子技術(shù)、射頻電子技術(shù)的國內(nèi)外前沿進(jìn)展、產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、實(shí)策與機(jī)遇；
2. 第三代半導(dǎo)體材料相關(guān)技術(shù)與新一代信息技術(shù)、新能源汽車、新一代通用電源、高端裝備等產(chǎn)業(yè)的相互促進(jìn)與
深度融合；
3. 紫外LED、光醫(yī)療、健康照明、Micro-LED、第三代半導(dǎo)體的5G 應(yīng)用、功率器件、智慧照明與大數(shù)據(jù)等熱點(diǎn)
技術(shù)和應(yīng)用領(lǐng)域；
4. 核心技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)業(yè)鏈、供應(yīng)鏈的國產(chǎn)化、多元化。
公司簡(jiǎn)介：
北京華林嘉業(yè)科技有限公司（簡(jiǎn)稱CGB)，公司總部位于中國北京亦莊國家經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，制造基地位于河北省廊坊市香河機(jī)器人產(chǎn)業(yè)園。
公司主要從事半導(dǎo)體、新材料等領(lǐng)域濕法制程設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)。產(chǎn)品性能處于國內(nèi)行業(yè)領(lǐng)先地位，并逐漸接近國際行業(yè)先進(jìn)水平。
產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域：大規(guī)格集成電路（IC）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS)、硅材料（SI)、化合物半導(dǎo)體（Compound Semi）、光通信器件（Optical Information Devices)、功率器件(Power Devices)、半導(dǎo)體照明（LED)、先進(jìn)封裝（Advanced Packaging)、光伏電池（Photovoltaic)、平板顯示（FPD)、備品備件（Parts)、科研設(shè)備（R&D Equipment)等。
產(chǎn)品介紹：
全自動(dòng)最終清洗機(jī) （現(xiàn)場(chǎng)圖）
該設(shè)備為我公司開發(fā)的專利產(chǎn)品，專業(yè)應(yīng)用于SiC襯底和SiC外延片最終清洗的工藝環(huán)節(jié)。
該設(shè)備涵蓋了全部的RCA清洗技術(shù)，包括SC1、SC2、SPM、HF等藥液，通過合理有效地藥液槽的布局排列，結(jié)合超聲(兆聲)技術(shù)，對(duì)SiC晶片的表面進(jìn)行清洗處理；通過自主開發(fā)的控制軟件，有效地將多ROBOT運(yùn)動(dòng)軌跡，與清洗工藝有機(jī)結(jié)合，避免了交叉污染，保證了清洗工藝的順利實(shí)施。集成在線的甩干機(jī)或Marangoni dryer單元，保證了晶片干進(jìn)干出，便于晶片進(jìn)入下一工序。
本設(shè)備具備完善的安全防護(hù)設(shè)施，配備了10級(jí)FFU，用于十級(jí)或百級(jí)凈化間。整個(gè)清洗過程，不需要人為干預(yù)。采用本設(shè)備清洗后的6英寸SiC晶片，表面顆粒達(dá)到<30顆/片@0.3微米，表面金屬雜質(zhì)殘留<5E10（16種金屬離子），完全滿足SiC器件工藝對(duì)表面的技術(shù)要求。該設(shè)備已在國內(nèi)多家SiC生產(chǎn)龍頭企業(yè)使用，得到了用戶的全面認(rèn)可，具有非常高的市占率。
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