第三代半導體材料制造與裝備技術高峰論壇將于2023年8月24日-25日在江蘇 · 無錫舉行
圍繞國產(chǎn)替代，降本增效開展的“第三代半導體材料制造與裝備技術高峰論壇”，將于2023年8月24日-25日在江蘇 · 無錫 錫州花園酒店舉行，我司參加此次會議，展位號：AV2，屆時歡迎各界同仁蒞臨展位交流。
第三代半導體的產(chǎn)業(yè)鏈,包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中，襯底是所有半導體芯片的底層材料，起到物理支撐、導熱、導電等作用。外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層，這些外延層是制造半導體芯片的重要原料，影響器件的基本性能。設計包括器件設計和集成電路設計，其中器件設計包括半導體器件的結構、材料，與外延相關性很大。制造需要通過光刻、薄膜沉積、刻蝕等復雜工藝流程在外延片上制作出設計好的器件結構和電路。封裝是指將制造好的晶圓切割成裸芯片。在這一整套制造流程中，伴隨著國產(chǎn)化程度的不斷加深，越來越多的國內優(yōu)質供應商的出現(xiàn)，通過平替、工藝迭代等方式幫助三代半企業(yè)完成“降本增效”，共同助力于三代半產(chǎn)業(yè)規(guī)模化產(chǎn)業(yè)化的落地。
會議議程（圖）
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